国产3nm晶体管强势现身,这次中国芯片将走向世界

　　众所周知，由于我国在芯片领域起步较晚，在芯片技术的掌握方面与西方国家有着很大的差距，因此芯片技术就成为了我国的一大短板，这一点是毋庸置疑的。目前，全球最主流芯片莫过于7nm制造工艺，比如目前市场上最顶尖的骁龙855、苹果A12、华为麒麟980均是7nm范畴。

　　不过在近期，根据权威媒体的报道，中国科学院微电子研究所专家表示，目前团队已经研发出的3nm晶体管，这样的宽度相当于一条人类DNA链的宽度，而在一个非常面积小到有限的芯片上，能够安装上百亿的3nm晶体管。这样的成就或将意味着，中国在芯片领域的研究再次取得突破。

　　当然作为突破性技术的研究成果，专家们在对3nm晶体管研究之际同样也需要克服一些重大障碍，而这其中就包括了“玻尔兹曼暴政”，而所谓的“玻尔兹曼暴政”描述的是一个关于电子在空间中分布的问题。因此对于芯片的研发者而言，这样意味着由于较多微型晶体安装到芯片上，晶体管的电流所产生的热量会将芯片烧毁。

　　针对这个问题，我国的物理学家已经提供了有效的解决方案，并使用一种被称之为“负电容”的方法，将所需要的最小电量为晶体管提供电力。由于难度的复杂性较大，所以这种3nm晶体管实现商业化还需要一定的时间，不过就目前而言，中国科学院微电子研究所的专家团队正在对晶体管的材料和质量进行控制，以此来到达预期效果。

　　值得一提的是，作为全球通信霸主的三星曾经公开表示，将计划在明年上半年完成3nm晶体管的研发。与7nm技术相比，3nm晶体管所制造的芯片只需要使用一半的电力，而性能方面却将提升35%，至于芯片的投产问题，三星并没有对此进行说明。

　　当然专家还透露，中国自主研发的3nm晶体管有着巨大的实际应用潜力，同时也掌握着专利。3nm晶体管技术的突破将让中国在芯片开发领域与世界头号角色进行正面竞争，而在过去我们看着别人竞争，但现在，我们要同别人竞争。

　　因此毫不夸张的可以说，中国如今研究出目前世界最顶尖的3nm晶体管，这不仅是实验室中的一项新发现，更多的则是代表着中国芯片强势崛起的希望，而当3nm晶体管正式实现量产之后，将意味着中国芯片在与西方国家缩小距离的同时，也将向世界。