M57959L/M57962L厚膜驱动电路

陈翠 发表于 2019-08-23 11:42:16 收藏 已收藏
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M57959L/M57962L厚膜驱动电路

陈翠 发表于 2019-08-23 11:42:16
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  M57959L/M57962L厚膜驱动电路

  M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源(+15V,-10V)供电,输出负偏压为-10V,输入输出电平与TTL电平兼容,配有短路/过载保护和封闭性短路保护功能,同时具有延时保护特性。

  其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时,驱动效果和各项性能表现优良,但当其工作在高频下时,其脉冲前后沿变的较差,即信号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部采用印刷电路板设计,散热不是很好,容易因过热造成内部器件的烧毁。

  日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz,采用双电源供电(+15V和-15V)输出电流峰值为±2A,M57959L有以下特点:

  (1)采用光耦实现电器隔离,光耦是快速型的,适合20KHz左右的高频开关运行,光耦的原边已串联限流电阻,可将5V电压直接加到输入侧。

  (2)如果采用双电源驱动技术,输出负栅压比较高,电源电压的极限值为+18V/-15V,一般取+15V/-10V.

  (3)信号传输延迟时间短,低电平-高电平的传输延时以及高电平-低电平的传输延时时间都在1.5μs以下。

  (4)具有过流保护功能。M57962L通过检测IGBT的饱和压降来判断IGBT是否过流,一旦过流,M57962L就会将对IGBT实施软关断,并输出过流故障信号。

  (5)M57959的内部结构如图所示,这一电路的驱动部分与EXB系列相仿,但是过流保护方面有所不同。过流检测仍采用电压采样,电路特点是采用栅压缓降,实现IGBT软关断避免了关断中过电压和大电流冲击;另外,在关断过程中,输入控制信号的状态失去作用,既保护关断是在封闭状态中完成的。当保护开始时,立即送出故障信号,目的是切断控制信号,包括电路中其它有源器件。

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