PCB传输线的损耗情况怎么样

描述

本文深入介绍了PCB传输线路的损耗问题。我们将讨论导体损耗,信号走线电阻,介质损耗,电介质的损耗角正切/耗散因数以及总插入损耗。

In我们之前的PCB传输线系列,我们为您提供了传输线的特征阻抗:

华秋DFM

华秋DFM

其中:

R =每单位长度线路导体的电阻(pul)
L =线路导体的电感线圈pul
G =信号和返回路径之间的电导(由于介电材料)pul
C =信号和返回路径之间的电容pul(它随着电介质的Dk而增加)

对于均匀的传输线, R,L,G,C在其上的每个点都是相同的,因此Zc在传输线上的每个点都具有相同的值。

对于频率华秋DFM行进的正弦信号在线的方向上,各点和时间的电压和电流表达式都是giv en by:

华秋DFM

其中α和β是华秋DFM的实部和虚部,由下式给出:

华秋DFM

在我们感兴趣的频率,R <<ωL和G <<ωC,所以:

华秋DFM

And:

华秋DFM

这样:

华秋DFM

这代表一个波长以每单位长度传播延迟华秋DFM传播,并随着沿线传播而衰减。

长度为l的传输线的信号衰减系数为:

华秋DFM

衰减或信号损耗因子通常用dB表示。

华秋DFM

这样dB损耗与线路长度成正比。因此,我们可以将上述单位长度的dB损失表示为:

华秋DFM

我们通常省略减号,请记住它是一个dB损耗 - 总是从信号强度中减去dB。

以上也称为传输线每单位长度的总插入损耗,写为:

华秋DFM

现在R/Z0组分的损耗与R成正比,每单位长度的电阻称为导体损耗,这是由于形成传输线的导体的电阻。它由'alfa'C表示。 GZ0部分损耗与G - 电介质材料的电导成正比,称为介电损耗 - 用'alfa'd表示。

华秋DFM

导体损失

华秋DFM

其中R是每英寸导体的电阻。

现在PCB传输线中有两根导线 - 信号走线和返回路径。

华秋DFM

通常返回路径是平面,但返回电流不均匀分布在平面上 - 我们可以证明大部分电流集中在宽度为宽度的三倍宽度的条带上。信号跟踪和信号跟踪下方。

可以近似:

华秋DFM

这样:

华秋DFM

信号走线电阻

信号走线的整个横截面积平均参与信号电流?答案是:并非总是如此 - 它取决于信号的频率。

在非常低的频率 - 直到大约1 MHz,我们可以假设整个导体参与信号电流,因此Rsigis相同作为信号轨迹的'alfa'C电阻,即:

华秋DFM

其中:

ρ=铜电阻,单位为欧姆 - 英寸华秋DFM

W =以英寸为单位的迹线宽度(例如:5密耳,即。 0.005英寸50欧姆的痕迹)
T =以英寸为单位的迹线厚度(通常为½盎司至10盎司,即0.0007“至0.0014”)

例如,对于5密耳宽的迹线:

华秋DFM

出于我们的目的,我们对频率为f的A/C电阻感兴趣。在这里,皮肤效果进入了画面。根据趋肤效应,频率f处的电流仅传播到称为导体趋肤深度的某个深度,即:

华秋DFM

下表给出了不同频率下趋肤深度的值:

华秋DFM

我们从上面看到4 MH ,表皮深度等于1盎司铜厚度,在15 MHz时,它等于½盎司铜厚度。超过15 MHz时,信号电流仅在深度小于0.7 mil时传播,并且随着频率的增加而不断减小。

由于我们关注的是高频行为,我们可以放心地假设T是在我们感兴趣的频率上大于皮肤深度,因此我们将使用皮肤深度而不是在信号阻力公式中使用T.所以我们现在有:

华秋DFM

我们使用2δ而不是δ,因为电流使用导体的所有外围 - 技术上2W可以用2代替( W + T)。

华秋DFM

返回信号沿最靠近信号轨迹的表面仅沿一个厚度δ传播,其电阻可近似为:

华秋DFM

由于导体上的铜表面粗糙度导致的导体损耗增加 - 电介质界面:

重要的是要知道在电路板中,“铜导体 - 介电界面”从不光滑(如果光滑,铜导体很容易从介电表面剥离);它被粗糙化成齿状结构,以增加电路板上导体的剥离强度。

对于典型的覆铜层压板,界面看起来像:

华秋DFM

其中:

hz =牙齿的峰高峰值

hz是衡量表面粗糙度。

通常,hz从一种箔类型到另一种箔类型不同,典型值为:

华秋DFM

如果粗糙度hz小于趋肤深度(在非常高的频率下就是这种情况),这将导致额外的导体损耗。我们通过制作具有不同hz的不同箔的测试电路板来实验观察到这种增加。

我们发现VLF箔的损耗低于通常的HTE箔的情况。

对于频率大于1 GHz的射频/微波电路板,由于粗糙度造成的这些导体损耗在长信号线上会变得很明显。

华秋DFM

低频,它仍然是:

华秋DFM

对R使用上面的等式中的较高者。

在高频率下:

华秋DFM

如果f为GHz,W和T为mils,我们得到:

华秋DFM

让我们计算它为5密耳,1盎司,50欧姆和4密耳,0.5盎司和50欧姆线:

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需要注意的重要一点是,在频率大于50 MHz时,导体损耗与频率的平方根成正比:

华秋DFM

预测铜粗糙引起的额外损失并不容易 - 不存在简单的公式。

介电损耗

如前所述,这是传输线中每单位长度dB的介质损耗:

华秋DFM

其中:

G =介电材料的电导率

Z0 =传输线的阻抗约为√L/C

PCB介电材料的两个特性:
1。介电常数 - Dk或Er - 也称为相对介电常数。
2。耗散因子 - Df - 也称为tanδ。

PCB材料制造商发布了Er和Df的值。

现在我们将找到G和Er,Df之间的关系。

电介质的损耗角正切/耗散因子

我们可以将两个导体之间的介电层建模为电导G并联电容C:

华秋DFM

该导体上的A/C电压和频率电流为:

华秋DFM

IG是通过G的电流,IC是通过电容器的电流。

华秋DFM

tanδ也称为耗散因子Df≡tanδ。

如果σ是介电材料的有效导电率,那么:

华秋DFM

已经通过实验观察到tanδ或Df随频率变化很小,并且可以被认为是与所有实际目的无关的频率值:

华秋DFM

上述等式表明电导率σ,因此电介质的电导G随频率增加。这是你可以期望的频率越高,电介质偶极子的机械运动中的热耗散越大,它们与电介质上的交变电场对准。 (我们称之为'阻尼振动偶极矩'。)

我们现在有:

华秋DFM

回想一下√LC给出传输线的每单位长度传播延迟 - Pd - 。

华秋DFM

现在我们有:

华秋DFM

因此,我们得到:

华秋DFM

我们从上面看到电介质损耗与频率成正比。

为了了解它的大小,让我们考虑一下PCB材料Isola 370HR和I-Speed以及I-Meta:

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总插入损耗

导体损耗的总和 - 'alfa'C - 和介电损耗: 'alfa'd。

华秋DFM

我们衡量损失的价值。 (分别测量导体和介电损耗并不容易。)

如果我们测量不同频率(例如从1 GHz到10 GHz)的正弦信号的插入损耗,我们可以使用上面的公式来将两种类型的损失分开:

华秋DFM

如果我们现在绘制'alfa'ins/√fvs√f,我们期望一个线性图,从中我们可以确定A1和A2。

继续阅读PCB传输线:

- 什么是PCB传输线?

- 信号速度和传播延迟PCB传输线

- PCB传输线:临界长度,受控阻抗和上升/下降时间

- 如何分析PCB传输线

- 阻抗PCB传输线中的不连续性和信号反射

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