安森美半导体的NCP51820高速门极驱动器技术方案获奖

网络整理 发表于 2019-09-12 09:59:00 收藏 已收藏
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安森美半导体的NCP51820高速门极驱动器技术方案获奖

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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),今日宣布其NCP51820高速门极驱动器获选为2019年度 “Top 10电源产品奖”。该年度奖项是中国备受认同的确定10大最具开创性的设计及技术有显著进步的电源产品的行业基准之一。

安森美半导体的NCP51820高速门极驱动器技术方案获奖

安森美半导体的NCP51820是技术先进的方案,专为满足驱动离线、半桥电源拓扑中增强型GaN器件的严格要求而设计。

该获奖器件提供许多独特的特性,包括针对GaN优化的调节门极驱动输出电压和用于EMI噪声调节的单独的源极和汲极引脚。该驱动器提供少于25 ns的短的传输延迟,先进的电平移位技术使-3.5 V至+650 V (典型)共模电压范围用于高边驱动,-3.5 V 至 +3.5 V共模电压范围用于低边驱动。此外,该器件还支持驱动器两个输出级稳定的dV/dt运行达200 V/ns,确保在高速开关应用中的强固性能。

GaN技术有潜力提供更低的开关损耗和更高的功率密度,但实现这些好处取决于有针对GaN优化的、具有强固保护特性的门极驱动电路。为了充分保护GaN功率晶体管的门极免受过压应力的影响,NCP51820的两个驱动级都采用专用的稳压器以精确保持栅源驱动信号的幅值。安森美半导体的NCP51820还提供重要的保护功能,如独立的欠压锁定(UVLO)、监测器件工作电压(VDD)的偏置电压和高压供电端(VDDH)及低压供电端(VDDL)驱动偏置,以及基于器件裸片结温的热关断。

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