三星突破次世代存储器将大规模生产28nm工艺EMRAM

（文章来源：存储在线 ）

三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，除了MRAM，还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器，能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。

嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战，三星克服技术障碍，并将制程节点发展到28nm，不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势，还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征，是可期的持续性发展的产品，未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。

由于MRAM在写入数据之前不需要擦除，因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外，EMRAM使用的电压比EFlash低，并且在断电模式下不消耗电力，从而提高了功率效率。另外，由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术（如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管）轻松集成，可以节省成本。

三星代工市场副总裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的复杂挑战后，我们推出了嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合，三星将继续扩大新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合，以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性，以满足客户和市场需求。”