我国自主成功研发嵌入式40nm工规级的存储芯片

（文章来源：百家号）
       江苏华存发布了我国第一颗国研国造的嵌入式40纳米工规级别存储控制芯片及应用存储解决方案：HC5001，这意味着我国在中高阶eMMC存储领域有了第一颗“中国芯”，并实现了量产。此次发布的主控芯片兼具高兼容性和高稳定度，支持第5.1版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法（FTL）、支持高速闪存接口（ONFI3.2/ToggIe2.0）、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC)，以及40nm工艺制程满足了高效能低功耗工规级别eMMC嵌入式存储装置需求。

今年以来，我国在芯片领域接连传来好消息。2018年8月31日，华为于IFA BERLIN 2018上推出全球首款7nm制程人工智能手机芯片——麒麟980，集成了寒武纪1H的麒麟980，让 AI 计算性能大幅攀升, 在性能与能效方面继续领先业界。另外华为还发布了自研云端AI芯片“昇腾（Ascend ）”系列，首批推出7nm的昇腾910以及12nm的昇腾310。其中，昇腾910是目前单芯片计算密度最大的芯片，计算力远超谷歌和英伟达。

紫光旗下长江存储公开其突破性技术XtackingTM，且该技术已成功应用于第二代3DNAND产品的开发中，预计于2019年进入量产阶段。长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片。据紫光集团联席总裁刁石京透露，长江存储32层3DNAND闪存芯片将于今年第四季度量产，而其64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，并计划于2019年实现量产。

此前据相关报道，神威E级原型机的处理器、网络芯片组等核心器件全部实现国产化；“天河三号”全部使用了自主创新技术，包括自主飞腾CPU。在芯片制造领域，中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。

寒武纪在2016年推出的寒武纪1A处理器是世界首款商用深度学习专用处理器，已应用于数千万智能手机中；寒武纪在2018年推出的MLU100机器学习处理器芯片，运行主流智能算法时性能功耗比全面超越CPU和GPU。

目前芯片产业在我国信息通信产业发展中的地位日趋凸显，是典型的基础性产业。对于中国这样的大国来说，我们必须尽快掌握这些尖端核心技术，否则类似卡脖子问题还会继续上演。相信随着国家和企业层面在这方面持续努力，我国核心芯片依赖国外的情况将逐步得到改善。