Transphorm和贸泽电子宣布达成全球分销协议

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加州戈拉塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--最高可靠性高压(HV)氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今天宣布,它已与贸泽电子(Mouser Electronics Inc.)签署全球分销协议,授权该公司在全球经销其最新的半导体和电子元件。根据协议,贸泽电子将分销Transphorm的经过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET和评估工具。

截至今天,贸泽电子可供应Transphorm的900 V TO-220和650 V TO-247 TO-247及TO-220 GaN FET器件。这些器件具有低交越损耗、更少栅极电荷和更小的反向恢复电荷,与硅MOSFET相比,可提供与碳化硅(SiC) FET相似的现场可靠性和更高的性能。与竞争对手的GaN晶体管相比,Transphorm的FET还提供业界最高的4 V阈值电压和±20 V的栅极稳健性等级。

另外还提供Transphorm的汽车级GaN FET,包括业界首款获得AEC-Q101认证的GaN解决方案TPH3205WSBQA,以及业界首款175摄氏度标准的AEC-Q101认证器件TP65H035WSQA。与非汽车应用一样,使用650 V GaN FET的车载电源系统与类似的硅基解决方案相比,可以将功率密度提高40%,同时将整体系统成本降低多达20%。

最后,贸泽电子推出的Transphorm评估平台允许设计人员研究开关特性和效率。该套件支持各种电源系统拓扑,包括逆变器、半桥降压或升压(通孔和SMD解决方案)以及无桥图腾柱PFC,并支持一系列额定功率。例如,包括1.2 kW和2.5 kW半桥评估平台以及2.5 kW和4 kW无桥图腾柱PFC评估平台。

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