格芯台积电撤销诉讼后互相给10年专利交叉许可 台积电又启动3nm研发大潮

　　日前，格芯和台积电宣布，将撤销两家公司相互之间的以及涉及任何客户的全部诉讼。两家公司已经同意，就各自在全球范围内的现有半导体专利以及未来十年内将要申请的专利，互相给予对方宽泛的专利有效期交叉许可。两家公司均将持续并大量投入半导体技术的研发。

　　这一决定确保了格芯和台积电可以自由地从事各自的经营活动，同时保证了其各自的客户可以持续地获得晶圆厂的完整的技术和服务。

　　今年8月26日，格芯在德国、美国得克萨斯州和特拉华州，以及美国国际贸易委员会共提起了25项诉讼，指控台积电违反了十多项专利，涉及芯片和制造芯片的方法。

　　随后，台积电发布声明称，目前正在审视格芯于8月26日所提的诉讼内容，深信其侵权指控并无根据，公司以一切可能的方法来反击，以保护自主研发的专有技术。

　　双方短暂”交火“了两个月后，宣布和解。

　　格芯的首席执行官Thomas Caulfield在声明中称：“我们很高兴能够迅速达成和解，这一和解方案也表明了我们各自的知识产权的优势。今天宣布这一决定可以使得我们两家公司都能专注于技术创新，以及为全世界的客户提供更优质的服务。”他还补充道：“格芯和台积电之间的协议保护了格芯的增长能力，对于构成今天全球经济核心的半导体行业而言，这是整个行业的胜利。”

　　“半导体行业竞争总是相当激烈，驱动参与者去创新，而这些创新活动丰富了全球成百上千万人们的生活。台积电投入了数百亿美元进行创新方能达到今日的领导地位”，台积电的总法务长方淑华在声明中称，这一决定是积极的，使台积电能专注于提升公司客户对技术的需求，从而不断引入创新，赋能整个半导体行业的繁荣和兴盛。”

　　格芯是全球领先的特殊工艺半导体代工厂，格芯总部位于美国加利福尼亚州，但实际上，该公司由阿联酋政府的投资部门Mubadala投资公司所有。

　　台积公司成立于1987年，率先开创了专业积体电路制造服务之商业模式，并一直是全球最大的专业集成电路制造服务公司。台积公司是首家提供7纳米制程技术为客户生产芯片的专业集成电路制造服务公司，其企业总部位于***新竹。

　　台积电投入近万人作战

　　台积电董事长刘德音昨（31）日主持***半导体产业协会（TSIA）年度论坛结语时透露，台积电会加大研发能量，将于竹科新建研发中心，打造成***的贝尔实验室，预计再扩增8，000名研发大军，投入未来二、三十年科技和材料研发及半导体产业的基础研究。

　　台积电目前在晶圆代工先进制程领先全球，这是刘德音首次针对台积电即将打造的全新研发中心，提出未来研发方针及定位。业界解读，台积电此举将可更进一步巩固领先地位，狠甩英特尔、三星等劲敌。

　　台积电过去五年已投资逾500亿美元在技术研发，以台积电打算打造***贝尔实验室的计划，预定未来几年仍会投入数百亿美元在新科技和新材料的研发，持续扮演***半导体业领头羊。

　　台积规划新研发中心，基地位于新竹县宝山乡，面积约32.7公顷，已向竹科管理局提出扩建计划，目前全案已进入环评补件阶段，根据台积电之前的资料，整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设，耗资超过4000亿新台币，折合879亿人民币或者130亿美元。。台积电幕僚表示，未来台积电3纳米以下的研发都会在此研发中心进行。

　　由于摩尔定律逐渐到了物理极限，3nm被认为是最后的一代硅基半导体工艺，因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题，三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

　　与三星相比，台积电并没有公布过3nm工艺的具体技术细节，预计也会改用全新结构的晶体管工艺，只不过目前尚无明确消息。

　　但台积电方面表示，他们 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。

　　目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。

　　台积电只是说，已经评估了3nm工艺所有可能的晶体管结构设计，并与客户一起得到了非常好的解决方案，具体规范正在进一步开发中，公司有信心满足大客户们的所有要求。

　　台积电此前曾披露，计划在2022年就量产3nm工艺。

　　台积电追求技术自主，这几年持续扩大研发规模，经费逐年提高，去年研发经费已占营收的8%，约达858.95亿元新高，较前年的807.32亿元增加，也超越***半导体业界，今年占比估为8.6%，金额站上千亿元，再写新猷。（综合自经济日报等）