SCM与NAND相比较，它的优势是什么

（文章来源：比特网）

存储级存储器SCM能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力，也能有像DRAM一样的的速度，这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。

由于闪存的固有设计，SCM在这块要好很多。性能问题和闪存延迟的最大原因之一是使用垃圾收集以满足新写入。将数据写入闪存驱动器时，无法覆盖旧信息。它必须在其他地方写入一个新数据块，并在磁盘I / O暂停时删除旧文件。

非常低的延迟，更高的耐久性，类似于DRAM的字节寻址，基于NVMe/PCIe的字节寻址的非易失性存储打开了存储架构创新的新篇章。SCM通常被用作扩展的Cache或者最高性能Tier的持久化存储。所以大多数情况下，SCM的定位是补充NAND的空缺，而不是取代NAND。HPE宣布将采用英特尔的Optane作为DRAM cache的扩展，从HPE 3Par 3D Cache的测试数据中可见，时延降低了50%，而IO提升了80%。

SCM技术的目标及潜力都在于能弭平DRAM 与SSD 读写速度的鸿沟。理论上，现代资讯系统由于内装置性能的落差徒增不少功耗，资料往返所耗费的时间，成为整体性能的短板，所以在处理器与记忆体之间设有暂存器及快取等，而引入SCM 做为记忆体缓冲或SSD 快取，也都是为了解决这样的问题。
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