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IRFR9024N功率MOS管的数据手册免费下载
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2019-11-27
nl201388
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来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现极低的单晶硅面积电阻。这一优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。D-Pak设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术的表面安装。直引线版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
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