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MOS场效应管的工作原理及作用详细资料说明
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2019-12-17
公孙御阳
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场效应管 （MOSFET）是一种外形与普通晶体管相似， 但控制特性不同的半导体器件。 它的输入电阻可高达 1015W，且工艺简单， 十分适用于大规模及超大规模集成电路， 根据其导电方式的不同，而分为增强型和耗尽型两种。由于 P沟道与 N沟道的工作原理大致相同， 仅在导电载流子与供电电压极性上有所区别，因此本文主要以介绍 N 沟道 MOS 场效应管为主。增强型场效应管所谓增强型是指：当 VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的 VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。常用的增强型场效应管型号： 10n60、4N60F （1）N 沟道增强型场效应管工作原理及作用介绍根据图 1，N 沟道增强型 MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在 P 型半导体上生成一层 SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的 N 型区，从 N 型区引出电极（漏极 D、源极 S）。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极 G。 P型半导体称为衬底，用符号 B 表示。
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