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锗化硅技术有哪些优点和高频特性的介绍
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2020-07-07
建立建利12
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锗化硅技术（Silicon germanium）从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频器、低噪声放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技术具有高频特性，现已广泛应用在电子测试产品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高频示波器，带宽高达15GHz，那么什么是SiGe技术呢？ SiGe技术具有很多极具吸引力的优点。作为硅材料中的“小兄弟，SiGe既拥有硅工艺的集成度和成本优势，又具有第3类到第5类半导体（GaAs）和磷化铟（lnP）速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感，就可以采用 SiGe半导体技术集成高质量无源部件。此外，通过控制锗掺杂还可设计器件随温度进行变化。
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