采用JFET晶体管置于电路中实现高频LC振荡器的设计

佚名 发表于 2020-07-21 09:08:13 收藏 已收藏
赞(0) •  评论(0
400万+工程师在用
400万+工程师在用

采用JFET晶体管置于电路中实现高频LC振荡器的设计

佚名 发表于 2020-07-21 09:08:13
+关注

将JFET用于不寻常的电路结构中,就可以设计出无源元件很少的简单高频LC振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET晶体管(图 1)。当JFET工作在饱和区时,漏极电流ID为:

采用JFET晶体管置于电路中实现高频LC振荡器的设计

式中,IDSS为最大饱和电流,VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导:

栅极电阻 RG提供栅极到地的必要连接。RG的典型值在几兆欧姆范围内,以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻 RS可使晶体管偏置,其阻值由下述公式确定:

要完成整个振荡电路,还要在放大级增加一个 LC 谐振回路(图 2),最终形成一个考毕兹振荡器。由于 LC 谐振回路的电感,栅极与地之间存在直流连接,消除了放大器的栅极电阻。

用巴克豪森准则对这一电路进行分析,电路的振荡频率 f0为:

电路起振所需电容器条件为:

或,放大器级的电压增益AV,即VOUT(t)/VG(t)为:

式中共漏级电压增益为:

责任编辑:gt

打开APP阅读更多精彩内容

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

相关话题

评论(0)

加载更多评论
相关文章

分享到

QQ空间 QQ好友 微博
取消