三维压电偏摆台在晶圆表面检测中的应用分析

半导体工业对于晶圆表面缺陷检测的要求，一般是要求高效准确，能够捕捉有效缺陷，实现实时检测。将晶圆放于精密光学平台上，选择合适的入射光照射于晶圆表面，晶圆随光学平台及旋转托盘而运动，完成表面的扫描。再通过CCD等收集反射光，得到晶圆表面图像，传到计算机，从而检测晶圆表面的缺陷。

芯明天高精度P51压电偏转/扫描台可以实现θx，θy方向偏转及Z向升降，因其分辨率高、重复定位精度高、响应速度快等特点非常适于晶圆检测，即可用于调节光路，又可调节晶圆样品的观测视角，大大提高了晶圆检测的精度。

P51系列压电偏转台为θx、θy 轴偏摆Z 轴升降台，偏转行程为±1.1mrad，Z轴直线行程可达100μm。台体采用无回差柔性铰链导向结构，采用有限元分析进行优化，具有超高的刚度以及导向精度。产品特性：运动自由度：θx、θy、Z；直线行程：100μm@150V；偏摆角度：±1.1mrad/轴@150V；直线分辨率可达4nm；偏摆分辨率可达0.05μrad；通孔尺寸：80×80mm；承载可达1kg。

通过有限元FEA 优化的铰链用于导向机构偏转台。有限元分析技术用于设计运动方向上最高的刚度，并减少角度偏差。铰链部分允许极高精度的运动，因为铰链机构无间隙、无摩擦。

带载阶跃时间

P51.ZT1S压电偏摆台配套E01.D3压电控制器，加载240g负载达满行程的阶跃时间约50ms，加载500g 负载达满行程的阶跃时间约100ms。

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