AMCOMRF晶体管GaAs FET的性能表现非常优异

AMCOM砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）是一种专门用于高频、超高频和微波射频放大电路的场效应晶体管。

AMCOM射频晶体管GaAs FET的频率范围跨越电磁辐射谱，从30 MHz到红外波段。AMCOM射频晶体管GaAs FET以其灵敏度而闻名，而GaAs FET产生的内部噪声很小。这主要是由于GaAs具有很强的载流子迁移率。电子可以轻易、快速地穿过半导体材料。

AMCOM射频晶体管GaAs FET是一种耗尽器件，这意味着当控制电极没有电压时，它会导电，当栅极有电压时，沟道电导率会降低。

在弱信号无线通信和广播接收方面，AMCOMRF晶体管GaAs FET的性能优于大多数其他类型的场效应晶体管。一些类型的GaAs FET也用于射频功率放大器。GaAs FET也用于宇宙通信、射电天文学和无线电爱好者所做的实验。

AMCOM射频晶体管GaAs FET具有良好的线性度。

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