GaN技术可突破硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限

全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。

GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域，GaN技术可直接降低功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程。同时，更高效的功率转换还能降低使用冷却系统进行散热的需求，这有利于减轻车身重量并降低系统复杂性，继而可实现更长的行驶里程，或是使用更小的电池达到相同的里程。 功率GaN FET也非常适用于数据中心、电信基础设施及工业领域应用。

GaN FET系列可为各种方案应用提供卓越性能，包括AC-DC图腾柱PFC硬开关应用、LLC移相全桥软开关应用（谐振或固定频率）、所有DC-AC逆变器拓扑以及使用双向开关的AC-AC矩阵式转换器等。

主要优势包括：

栅极驱动简单、低 RDS（on）及快速开关

       卓越的体二极管（低Vf）、低反向恢复电荷 Qrr
  
       坚固耐用

       低动态 RDS（on）

       开关性能稳定

       栅极驱动抗干扰性强 （Vth ~ 4 V）

Farnell及e络盟全球半导体与单板计算机总监Lee Turner表示：“安世半导体以其丰富多样的创新半导体产品而享誉全球。我们很高兴能够引入安世半导体的功率GaN FET系列，以便进一步提升对客户的支持服务。GaN是高效电源设计领域的前沿技术，此次引入的这些新产品将是未来创新物联网、汽车和通信设计方案的关键组成部分。”

为了支持寻求采用GaN FET技术的客户，Farnell和e络盟社区共同举办了一次网络研讨会，邀请了来自安世半导体的GaN国际产品营销工程师Ilian Bonov“深入剖析”这项新技术。网络研讨会主题为 “采用安世半导体GaN FET设计高效、稳定的工业电源”，全面介绍了安世半导体cascode技术的特点及其在软硬开关拓扑中的应用优势，并分享了一项4kW图腾柱 PFC案例研究。
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