Farnell计划将Nexperia的第二代动力氮化镓场效应晶体管推向市场

据外媒报道，Farnell将把Nexperia的第二代动力氮化镓场效应晶体管（GaN FET）推向市场。这类晶体管体积小，密度和效率较高，可以降低开发高效系统的成本，并具有改变电动汽车动力性能的潜力。

随着立法越来越严格，对减少C02排放的呼声愈发强烈，这些创新GaN FET给设计师们带来了便利，推动向更有效的电力转换转变，并提高电气化水平。

GaN技术克服现有技术的许多局限，如硅基IGBT和SiC，直接或间接提高整个功率转换应用的性能。在电动汽车中，GaN技术可直接减少电力损耗，避免影响车辆的续航里程。功率转换效率更高，也可以减少对散热系统的需求，帮助车辆减轻重量，降低系统复杂性，使运行里程更长，或在相同的里程内使用更小的电池。Power GaN FET也适用于数据中心、电信基础设施和工业应用。

GaN FET可在不同系统中提供优异的性能，比如硬开关AC-DC图腾柱PFC应用，全桥LLC移相（谐振或固定频率）软开关应用，所有DC-AC逆变器拓扑和使用双向开关的AC-AC矩阵变换器等。

主要优点包括：

简单的栅极驱动，低导通电阻RDS（on），快速开关；

优质体二极管（低正向电压降Vf），反向恢复电荷低；

高强度；

低动态导通电阻；

稳定的开关；

防闸极回跳（Vth ~ 4v）。
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