电子显微镜下英特尔的14nm+++和台积电的7nm

TSMC 发表于 2020-10-26 14:50:22 收藏 已收藏
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400万+工程师在用
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电子显微镜下英特尔的14nm+++和台积电的7nm

TSMC 发表于 2020-10-26 14:50:22

单纯从名字上看,台积电在工艺制成方面明显领先于英特尔,不过情况似乎并不是这样,此前英特尔也表示,台积电的命名方式有争议,并非按照实际物理数值。台积电也表示,很早就不按照物理数值命名了。那么英特尔和台积电的制程工艺差多少呢? 一位加拿大博主拿来电子显微镜,专门对比了英特尔的14nm+++和台积电的7nm,对应产品为i9-10900K和锐龙9 3950X。结果比较有意思,虽然两者命名差距很大,但从电子显微镜中看,两者差别很小。

英特尔14nm+++和台积电的7nm

英特尔14nm+++和台积电的7nm 实际上英特尔14nm+++的晶体管栅格宽度为24nm,而台积电7nm的晶体管栅格宽度为22nm,而且栅格高度也很相似。从数据上看台积电7nm确实领先英特尔14nm+++,但领先幅度非常有限。如此看来,英特尔的10nm超越台积电7nm是没有问题的,看来在营销方面,台积电还是有一手啊。

原文标题:电子显微镜下看英特尔14nm+++和台积电7nm

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