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功率MOSFET的应用PDF电子书免费下载
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本书是由电子工业部电子材料与固体器件教材编审委员会半导体物理与器件编审小组评选审定、推荐出版的全国第四轮统编教材。全书共7章,第1章阐明功率MOS器件的基本特性及其工作原理,第2章阐述功率MOS应用方面的基础知识;其后6章分别介绍功率MOS在音频功放、高频电路、电源、开关电路、微机及其它方面的应用。全书着重基本概念的闻述,避免繁杂的数学推导,各章还提供了较丰富的实用电路。本书除用于高校教材或教学参考书外,对从事功率MOS应用开发的科技工作者,均有一定的参考价值。
半导体器件一直是沿着提高器件工作频率和提高器件功率处理能力这两个方向发展的。每一种器件在频率和功率兼顾时都存在着某种限制。为了突破这种限制，人们不断探索新的器件工作原理、新的器件结构，以不断解决在提高器件频率和功率过程中的矛盾。如晶闸管虽然其功率控制容量可以达到MW以上，但其工作频率较低，一般限制在10kHz以内。为了突破这一限制，后来发展了大功率双极型晶体管（GTR）。现在，达林顿大功率双极型晶体管的功率控制容量虽比晶闸管低一个数量级（0.MW），但其工作频率却提高了两个数量级（MHz），因此总的来看是前进了功率双极型晶体管工作频率要进一步提高，则受到其基区和集电区中少子存储效应的限制。为了突破这一限制，人们在探素、开发多子功率器件—功率MOS器件。目前功率MOS器件的功率控制容量比功率双极型晶体管约低一个数量级（约0.01MW），但其工作频率却提高了两个数量级（约100MHz）。因此，从器件的频率和功率兼顾来看，功率MOS器件的出现，使半导体器件的发展又前进了一步。
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