台积电:可集成192GB内存在芯片内部

10月27日消息，台积电是目前芯片制程工艺方面走在前列的厂商，苹果、AMD、英伟达等全球重要品牌的芯片都由他代工，而近期有消息称台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术，可集成192GB内存在芯片内部。

CoWoS的全称为Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一种将芯片、基底都封装在一起的技术，能够降低制造难度和成本，这项技术常用于HBM高带宽内存的整合封装，而之前的AMD Radeon VII显卡、NVIDIA V100计算卡就使用了这项封装技术，目前这项技术只有台积电掌握，技术细节属于商业机密。由于是商业机密，台积电没有披露第六代CoWoS的细节，只了解到可在单个封装内，集成多达12颗HBM内存。

而最新SK海力士的HBM2E内存利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗2GB芯片，从而做到单颗容量16GB，理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗容量24GB。也就说，台积电实际可做到将192GB高速内存封装在芯片内，理论上限是封装288GB内存。在芯片封装技术方面，产业链人士透露，台积电的第6代CoWoS封装技术有望在2023年大规模投产。
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