BMW i3采集板的内部电路与架构介绍

佚名 发表于 2020-10-28 15:22:28 收藏 已收藏
赞(1) •  评论(0
400万+工程师在用
400万+工程师在用

BMW i3采集板的内部电路与架构介绍

佚名 发表于 2020-10-28 15:22:28

前面有个文章介绍了BMW i3的采集板的工艺,这次接着介绍内部电路与架构,争取这一篇就介绍完毕。

BMW i3采集板的内部电路与架构介绍

整个电路的架构拓扑如下图所示:总体来看,MCU放置在了高压电池侧,对外接口为隔离的CAN通信,这种与MODEL S的采样板架构相似;AFE采用了LTC6802-2,因为这个板子大概六七年前了,使用比较老的型号;同时它又使用了LTC6801作为冗余的监控芯片;另外,MCU的供电是从高压电池侧取电,而不是从低压12V处取电。

下面简要介绍几个主要功能电路。电源电路:电源芯片TLE7273如下图位置,它直接从高压连接器的电池取电,前面有几个类似MOS管的器件,具体型号没查到,应该是防护电路,例如防反、过压防护等;端口处的滤波电容采用两个电容串联的形式,而且摆放成90°角,防止机械应力造成两个电容同时失效,这种方式在很多厂家的产品上都有见过,例如CATL。

低压连接器处直接有一路5V输入,供电给CAN收发器与数字隔离芯片,这种输入5V的方式并不多见。另外,MCU在高压端,如果MCU存在休眠,那么就需要一个来自低压端的唤醒信号,除非MCU一直工作,就像MODEL 3的控制器一样,一直在工作。

隔离电路:存在两种隔离器件:光耦与数字隔离器Si8422AD;下图为B面的数字隔离器电路,它隔离的信号为CAN信号,具体为RXTX;高低压之间的隔离带比较明显,大概为7mm的宽度。

在T面存在两路光耦隔离电路,在光耦下面有开槽处理,增加安规距离;这两路光耦,一路为输入,一路为输出,可能是数字报警信号或者是休眠唤醒信号。

采样电路:AFE为LTC6801与LTC6802-2,主采样芯片为LTC6802-2,它的采样电路设计如下图所示:均衡电阻为56Ω/1206,使用外部的PMOS进行驱动;采样滤波电路使用的一级RC滤波,电容为共模对地接法,电阻为100Ω/0603;采样端口并联一个稳压管做防护。LTC6801除了没有均衡电路外,其他配置相同。

对于AFE的防护电路,首先它在连接器电压采样输入处,在采样通道上预留了差分电容的位置;AFE采样引脚处使用稳压二极管做热插拔或浪涌的防护;然后使用的是外部的均衡MOS(当然,与当时的AFE特性有关),这样对AFE的S脚起到了很好的保护作用;在AFE的供电处,前面串联了一个磁珠,后面使用了一个TVS并联了两个稳压管,然后供电引脚放置对地的电容。

责任编辑:gt

打开APP阅读更多精彩内容
赞(1)

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

相关话题

评论(0)

加载更多评论
相关文章

分享到

QQ空间 QQ好友 微博
取消