英特尔Core i5-L16G7处理器分析

随着特征缩放到达物理极限，半导体行业开始研究后摩尔技术。在此领域，无论光刻技术节点，还是7纳米传统集成电路、28纳米射频集成电路，多芯片封装对于在小形状因子中集成多种功能是至关重要的。所有这些都必须确保低成本并在短时间内上市。以此来看，Intel已经开发了几种互连技术以实现小芯片（chiplet）的异构集成。早在2018年，人们就在英特尔处理器上看到了这一技术的雏形，当时称为嵌入式多芯片互连桥(EMiB)。今天，英特尔展示了另一种在处理器中使用有源转接板和Foveros技术进行芯片互连的方案。 

Foveros允许3D面对面（F-F）堆叠，通过使用硅通孔(TSV)在有源转接板上集成不同类型的器件。转接板作为不同小芯片之间的桥梁。它也包括低功率器件，如输入/输出(I/O)连接和高性能逻辑功率传输。

本报告分析的产品为英特尔Core i5-L16G7，特色是采用了英特尔的混合封装技术。该技术依赖于Foveros F-F芯片堆叠和PoP结构。该设计旨在将10nm运算芯片与SK Hynix LPDDR4 DRAM集成在一个PoP架构的封装体中。该方案降低了功耗并提高了核心性能，同时降低形状因子和Z高度，以适应超级移动应用。在该结构中，采用Foveros F-F技术和Via-Middle TSV工艺将10nm的运算芯片与22nm转接板直接互连，这样就可以方便地将功率传输到处理器芯片上。

关于Intel Foveros 3D Packaging Technology

本报告对英特尔 Core i5-L16G7处理器进行了详尽分析，全面调研了英特尔混合封装技术，还分析了集成在封装体内的LPDDR4X DRAM芯片。最后，它包含了完整的成本分析和器件销售价格预估，并与台积电的CoWoS技术进行比较。

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