MCU、NOR Flash涨价并持续供不应求;电机汽车类应用潜力大,头部企业加速布局

电子发烧友原创 发表于 2020-11-22 09:15:08 收藏 已收藏
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MCU、NOR Flash涨价并持续供不应求;电机汽车类应用潜力大,头部企业加速布局

电子发烧友原创 发表于 2020-11-22 09:15:08
|一周科技热评
 
 
MCU、NOR Flash涨价并持续供不应求
 
日前,针对晶圆代工产能紧张是否会导致MCU缺货或交付延迟,兆易创新董秘李红表示,存量产能都在有序生产,但是因为需求端旺盛,晶圆厂产能紧缺,要扩产的话就会受到一些影响,新增的部分还没有常规运转起来。
 
兆易创新表示,MCU缺货是不同的产品类别的缺货,调价也并不是所有的产品价格都调,现在看整个行业是处于供不应求的状况,一般情况下供需失衡的时候都会有调价。
 
Kitty点评:笔者早前获悉国内芯片公司航顺的MCU产品调整代理商体系价格,NOR Flash、EEPROM、LCD驱动已经发布涨价通知,全面上涨10%-20%。原因是投片厂、封装厂产能紧张,原材料价格上涨,客户订单大幅度增加所致。
 
为了维护与客户的稳定关系以及出于市场份额的考虑,国内MCU厂商纷纷表示不会率先涨价,成本主要在内部消化。但是随着产能紧张的持续,部分产品价格上涨,行业将出现普遍地不同程度的涨价。
 
NOR Flash方面,兆易创新表示三季度价格较为稳定,需求非常旺盛,超过此前预期。因此展望四季度,市场仍然非常旺盛,现在已处于供不应求的状态,乐观看待明年的景气度。
 
的确,NOR Flash在AMOLED屏、可穿戴设备(尤其是TWS耳机)以及物联网、汽车市场都将有非常大的成长机会。
 
由于市场需求的复苏,MCU、NOR Flash的供应和价格承压越来越大,无论是供应商还是客 户都要做好供求计划了。
 
电机汽车类应用潜力大,头部企业加速布局
 
英国伦敦时间周二(11月17日)英国首相鲍里斯·约翰逊在英国《金融时报》发表专栏文章,公布十项绿色新政,调动120亿英镑政府投资,创造和支持多达25万个绿色就业岗位。其中最为引人注目的是,即将从2030年停止新的汽柴油汽车的销售,这比今年2月约翰逊提出的2035年的截止时间还提前了5年。这标志着英国汽车市场将出现重大转变。
 
Kevin点评:在汽车“去汽柴油化”方面,目前欧洲走在前列。截止到目前,爱尔兰、荷兰、丹麦和瑞典都已经宣布在2030年前禁止其柴油新车销售。法国也曾经立法到2040年要禁止销售汽柴油新车。
 
此外,今年9月美国加州州长纽松(Gavin Newsom)签署了一项命令,至2035年将禁止该州销售汽油和柴油动力的新车,希望借此降低温室气体及空气污染物排放。
 
这几年中国也在推动新能源汽车的发展。所有这些对推广电动汽车意义巨大。也正是看到了电动汽车的发展,头部电机企业也开始布局。比如从德昌电机2019年的财报中可以看到,其汽车类电机产品占其总营收的79%。
另一个电机大企业日本电产(尼得科)计划到2030年底,在电动汽车用驱动电机市场中的份额达到35%。为此,今年6月,日本电产宣布投资1000亿日元(约65亿元)在大连建厂,并设立研发中心。 此外,日本电产还计划在欧洲投资2000亿日元,在美洲的投资计划也正在规划之中。
 
台积电与谷歌合作,SoIC封装将量产!
 
近日,台湾供应链传来消息,全球最大半导体代工企业台积电(TSMC)与谷歌(Google)等美国客户正在一同测试,合作开发先进3D堆栈晶圆级封装产品,并计划2022年进入量产。
 
台积电将此3D堆栈技术命名为“SoIC封装”,可以垂直与水平的进行芯片链接及堆栈封装。此技术可以让几种不同类型的芯片,像是处理器、内存与传感器堆栈到同一个封装中。这种技术能可让芯片组功能更强大,但尺寸更小,且更具有能源效率。
 
消息透露,台积电计划在苗栗芯片封装厂房导入最新 3D IC 封装技术,Google、超微(AMD)将是第一批 SoIC 芯片客户,这些美国科技巨擘会协助台积电进行测试与认证作业。据消息,Google 打算将 SoIC 芯片应用于自驾车系统等,AMD 则希望打造超越英特尔(Intel)的芯片产品。
 
Lily点评:根据研究机构Yole Development的数据,先进封装行业在2019年的销售额为290亿美元,预计在2019-2025年之间的复合年增长率为6.6%,到2025年将达到420亿美元。这家研究公司表示,在所有细分市场中,3D堆叠封装将以25%的速度增长,这在同一时期内是最快的。台湾行业分析师表示,随着全球高端芯片开发商寻求更多可产生强大性能并帮助其在竞争对手中脱颖而出的定制芯片,对高级封装的需求正在增长。
 
根据台积电在第二十四届年度技术研讨会中的说明,SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术,是一种晶圆对晶圆(Wafer-on-wafer)的键合(Bonding)技术,这是一种3D IC制程技术,可以让台积电具备直接为客户生产3D IC的能力。
 
台积电总裁魏哲家表示,2D微缩已经不足以支持系统整合需求,台积电拥有业界最先进的晶圆级3DIC技术,从晶圆堆叠到先进封装一应俱全,帮助客户实现更有效率的系统整合。行业内普遍认为,从台积电最初提出的2.5版CoWoS技术,至独吃苹果的武器InFO(整合型扇型封装)技术,下一个称霸晶圆代工产业的,就是SoIC技术。
 
中国移动宣布将在2021年基本实现全国市、县5G覆盖
 
11月20日,中国移动董事长杨杰表示,中国移动已开通5G基站38.5万个,在所有地级市和部分重点县城提供5G SA服务。同时,中国移动将在明年进一步扩大5G规模建设,在2021年基本实现全国市、县城区及部分重点乡镇5G良好覆盖,完善3+3+X数据中心布局,装机能力提升至108万架。
 
此外,中国移动预计,到今年底,网内5G套餐用户数将超1.5亿,5G手机用户将突破1亿。中国移动判断,目前网内处于换机周期的目标用户近3亿,明年的目标是要实现网内新增5G手机2亿部。
 
Simon点评:5G基础设施建设一直是行业内关注的焦点,由于5G的特性,如果想要达到4G同样的覆盖效果,至少需要达到4G基站1.5倍的数量。
 
而今5G基站尽管已经基本覆盖至各大城市,但根据实际的体验,可以发现覆盖范围仍然有限,甚至会出现过了一条街之后,便无法连接的情况,这些都是由于5G覆盖不足所导致。
 
中国移动作为国内最大的运营商,宣布明年将在全国市、县完成5G的基本覆盖,至少保证了5G可以在全国各地的使用,虽然还无法达到完全覆盖的地步,但从使用角度来看,已经由不可用到勉强可用的程度。
 
如果中国移动能够如期完成其规划,将进一步加速5G的普及。今年被称为5G的元年,那么2021年,将成为5G彻底爆发的一年。目前唯一的问题就在于,5G的杀手级应用何时出现。
 
长江存储CEO证实华为Mate40用上国产闪存
 
日前,长江存储CEO杨士宁在参加活动时证实了一件事,那就是他们的64层闪存已经打入了华为Mate40供应链,他还借用一句网络用语,表示“出道即巅峰”。
 
他表示,与国际存储大厂相比,公司用短短3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越,3年完成他们6年走过的路。
 
Carol点评:去年9月,长江存储宣布国内第一个64层堆栈3D闪存量产,截至目前,已经有很多国产SSD使用长江存储的这款闪存颗粒。
 
2020年5月,光威推出基于国产NAND Flash厂商长江存储的闪存颗粒的SSD,并且这款SSD还采用了国产的联芸的SSD主控。
 
2020年5月14日,国科微与长江存储在湖南长沙正式签署长期供货协议,在签约仪式上,国科微预发布搭载长江存储64层3D NAND颗粒的固态硬盘。
 
2020年9月,朗科在京东上线了“朗系列”S520S固态硬盘,采用长江存储64层TLC 3D NAND原厂颗粒,主控为得一微电子的SATA固态硬盘主控芯片YS9082HC。
 
此外还有不少国产SSD厂商也采用了长江存储的64层堆栈3D闪存,同时长江存储自己也推出了基于该款闪存颗粒的SSD产品。
 
今年4月,长江存储还发布了128层 3D NAND,预计明年上半年量产,整体而言,长江存储不管是在新品技术,还是量产上都在快速推进。现在长江存储的3D NAND又进入到华为的供应中,可见未来其将会进入越来越多的国产供应链中,逐渐侵蚀三星、铠侠、西数、美光等大厂的市场份额。
 
SK海力士与博世投资存储器初创公司FMC
 
近期存储器初创公司Ferroelectric Memory Company的B轮融资中,SK海力士和博世等企业为其提供了2000万美元以上的投资资金,此外某些顶级代工厂也打算投资,但FMC担心与单一代工厂的紧密合作会影响其他代工厂运用其技术,因此暂时拒绝了那些额外的投资交易。FMC将利用这笔资金将FeFET产品进入下一大开发阶段,最终实现7nm的制程工艺。
 
采用7nm的制程工艺后,不仅可以增加FeFET的存储密度,而且存储容量可以与其它7nm的存储技术相媲美。FMC希望将FeFET技术集成到嵌入式NVM、存储级存储器和存储运算应用中去。
 
Leland点评:如果可以突破7nm的障碍,FeFET将从尺寸和成本上优于FLASH和MRAM存储,同时还将提供更高的温度稳定性、抗磁性与抗辐射性。FMC作为一家有潜力的存储初创公司,并不打算走IDM模式,而是借助代工厂来实现高级制程产品的生产,而他们将设计许可卖给设备制造商。
 
FeFET主要使用二氧化铪这种铁电材料,这种材料通常作为现代IC的绝缘层。而FeFET很适合作为镶入式FLASH的替代品,因为后者要想突破28nm非常困难。不过以该公司目前的路线图来看,28nm的消费级产品预计在2023年才会推出,之后再攻克22nm,突破到7nm也许还得等上较长的一段时间,
 
 
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