三星明年全年DRAM和NAND的供应将严重不足

Jimmy 发表于 2020-11-24 14:34:08 收藏 已收藏
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三星明年全年DRAM和NAND的供应将严重不足

Jimmy 发表于 2020-11-24 14:34:08

据报道,尽管存储行业受疫情影响小于其他行业,但消费产品仍受到负面影响,外界对前景产生担忧。

而三星正利用这一时期扩大领先优势,三星计划明年将DRAM、闪存和代工芯片的月晶圆产能分别扩大3万、6万和2万片。

一位投资经理表示,明年全年DRAM和NAND的供应将严重不足,从而导致价格和利润回升。三星在这方面显示出非常有吸引力的风险回报。

三星明年全年DRAM和NAND的供应将严重不足

他进一步表示,三星正在与零部件供应商进行讨论,确保在下订单之前解决任何潜在问题。

三星在京畿道平泽工厂将在处理新增产能方面发挥核心作用。在最近公布的三季度业绩电话会议上,三星表示随着存储芯片库存水平的合理调整,公司收到了更多服务器芯片订单,预计将出现转机。

NH Investment分析师Do Hyun-woo表示,三星将积极生产NAND闪存芯片,而在DRAM方面保持保守离场。考虑到代工芯片的短缺,三星明年将向平泽和美国奧斯汀的工厂投资至少10万亿韩元。

三星对NAND闪存芯片业务的需求之所以上升,是因为目前的DRAM技术能否在小于1nm的产品中维持存储能力越来越令人质疑。虽然NAND芯片在10-20nm的层面上很快将面临挑战,但三星相信随着EUV技术推进制造工艺,NAND芯片在密度和成本改善方面处于优势地位。
        责任编辑:tzh

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