PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

半导体行业观察综 发表于 2020-11-24 15:29:16 收藏 已收藏
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PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

半导体行业观察综 发表于 2020-11-24 15:29:16

MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(相变存储器和磁RAM)将在独立存储器中处于领先地位。

Mark Webb在最近的虚拟闪存峰会上做了一系列演讲。他得出的结论是,尽管目前正在开发中的新兴存储器技术种类繁多,但英特尔的相变存储器(称为3D XPoint存储器或Optane)将在2025年和2030年主导独立的新兴非易失性存储器市场,这是部分原因是英特尔亏本出售内存业务的原因。

PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

Webb将新兴内存定义为PCM,MRAM,ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND,DRAM,NOR,SRAM,EEPROM等。在这些分析中,Webb并不讨论开始受到关注的嵌入式/ SoC新兴存储器MRAM。

韦伯认为,由英特尔提供的PCM将在2025年占据独立新兴存储器市场90%的份额,而MRAM仅次于第二,在2030年仍将如此。

韦伯表示,尽管英特尔亏本出售了相变内存。但韦伯在FMS演讲中说,3D Xpoint的营业利润率非常低,并估计出售Xpoint会使英特尔每季度损失3亿多美元。韦伯说,尽管随着内存生产规模的扩大,这种损失可能会减少,但这种损失将持续下去。

他补充说,没关系。永久内存非常适合数据中心,可以将英特尔架构与AMD和其他竞争对手区分开来。韦伯说,内存余量并不是英特尔的目标。

韦伯在一篇博客文章中说:“我们预测Optane的收入将大幅增长,这仅仅是因为英特尔正在向它投资数十亿美元,并正在为其发展新的总线连接。如果没有英特尔,则将数字除以5到10。”

尽管韦伯的分析对于诸如ReRAM和FeRAM之类的替代存储器的支持者似乎是黯淡的,但他提供了一些理由。他指出,在英特尔和美光共同推出PCM五年后,除对英特尔的销售外,美光的年销售额还不到1000万美元。韦伯表示,在同意一项技术可行之后,要想达到高产量,需要很长时间。

韦伯观察到:“如果ReRAM或FeRAM起飞,它将在四到五年内,并且不会取代其他市场。”
      责任编辑:tzh

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