第三代功率半导体发展面临哪些挑战?

Jimmy 发表于 2020-11-27 15:27:06 收藏 已收藏
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第三代功率半导体发展面临哪些挑战?

Jimmy 发表于 2020-11-27 15:27:06

小鹏汽车动力总成中心IPU硬件高级专家陈宏在2020第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛上表示,智能网联汽车朝着高安全性、动力性、智能化、长续航、快速充电方向发展。

陈宏表示,2020-2025年新能源汽车销量以年均25%增长率上升,到2025年销量过700万辆。

第三代功率半导体发展面临哪些挑战?

陈宏指出,功率半导体在新能源汽车中的应用领域包括:OBC、空调、逆变器、DCDC及附属电气设备。

碳化硅Mos相比硅基IGBT功率半导体具有耐高温,低功耗及耐高压等特点。采用碳化硅技术,电机逆变器效率提升约4%,对应整车续航里程增加约7%。

虽然第三代功率半导体有着诸多优点,但在国内市场与技术之下也面临诸多挑战,如器件成本高,功率器件的良率,EMC:高频信号干扰比硅基IGBT大,SiC器件的制造与封装,器件并联扩容技术,器件及系统散热设计等。

陈宏表示,碳化硅宽禁带半导体技术的发展,对功率模块的封装要求更高,朝着耐高温、高功率密度、低杂散电感、高可靠性封装路线发展。

小鹏汽车希望与产业链合作伙伴,共同推进碳化硅在智能网联汽车中的标准化,推广第三代功率半导体在智能网联汽车中的应用。
       责任编辑:tzh

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