CT81型军用高压瓷介电容器

电容器

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CT81型军用高压瓷介电容器

CT81 型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.

瓷介电容

CT81 型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:
①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4- 118。

瓷介电容

瓷介电容

瓷介电容


②电容器试验电压:→般为1. 5 倍额定电压( +500V) ,外包封层耐压为1.5kV (直流)。
③绝缘电阻:>=1x10 11Ω。
④损耗角正切:<=200 x 10 - 4 。
①使用环境温度: 2XI温度特性, - 55℃ ~ +125℃; 2X2 、2D2 、2E2 温度特性,55 ℃ ~ + 85℃; 2X3 、2D3 、2DE 温度特性,-40℃ ~ +85℃。

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