MM32F0010A1T的特点以及闪存的主要特性

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描述

灵动MM32F0010A1T使用高性能的ARM Cortex-M0为内核的32位MCU,工作频率可高达48兆赫兹,内置SRAM高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32F0010A1T包含1个12位的ADC、1个16位通用定时器、1个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口:1个I2C接口、1个SPI接口和2个UART接口。

MM32F0010A1T工作电压为2.0V~5.5V,工作温度范围(环境温度)-40◦C~85◦C常规型和-40◦C~105◦C扩展型(V)。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。提供TSSOP20封装形式。灵动微MM32F0010A1T可兼容替换意法半导体STM8S003F3P6.灵动总代理英尚微电子可提供开发板测试和例程支持。

MM32F0010A1T封装引脚

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MM32F0010A1T特点:性价比首选·8位替代的最佳方案;20PIN小封装·简单大方;高速M0核心·开发更有效率;高精密度ADC·多达8通道;6组PWM输出·具有死区功能;丰富的串口新选择。

闪存主要特性

•高达16K字节闪存存储器

•存储器结构:

–主闪存模块:最大4K字(4K×32位)

–信息模块:

*系统存储器:高达1K字节(1K×8位)

*选项字节:高达2×8字节

闪存接口的特性为:

•带预取缓冲器的数据接口(2×32位)

•选择字节加载器

•闪存编程/擦除操作

•访问/写保护

•低功耗模式

内置的SRAM

内置最大可到2K字节的静态SRAM。它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。

•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU用最快的系统时钟且不插入任何等待进行访问。

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