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功率半导体器件的复习资料合集免费下载

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.61 MB | 2021-01-21

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  1、功率二极管结构为PIN 结构, I 区一定是本征区吗?如果不是本征区一般为类型的半导体?为什么?

  2、PIN 二极管反向阻断电压的计算及耐压设计

  例一:画出雪崩击穿时,穿通结构和非穿通结构的电场分布

  例二:76wIm 53.5VPT ,470.4 3 no VPT 代表什么意义,计算实现 4000V 阻断电压的穿通结构二极管最薄高阻区厚度和电阻率。

  例三: VPT (2 2 )VB , wI xmB ,若阻断电压为 4000V, 0.75 ,确定穿通结构二极管高阻区厚度和电阻率。0.75 时雪崩击穿电压见笑了多少?漂移区厚度减小了多少?穿通结构主要用来解决什么问题?用来改善什么特性?

  例四:VDMOSFET 的结构如图所示, 如果可将J1 结近似为平面结, 计算出阻断耐压为800V的漂移区的掺杂浓度和厚度(非穿通结构) 。计算出阻断耐压为1200V 的漂移区的掺杂浓度和厚度(穿通结构) 。

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