MOS管参数的热阻、输入输出电容及开关时间

描述

我们打开一个MOS管的SPEC,会有很多电气参数,今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。

热阻,英文Thermal resistance,指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。

半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到电路板,封装引脚到电路板。

结到空气环境的热阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P

其中Tj为芯片结温,Ta为芯片环境温度,如下图所示。

MOS管

还有一些其他的热阻参数如下:

ThetaJC=(Tj-Tc)/P,结到封装外壳的热阻,一般而言是到封装顶部的热阻,所以一般的,ThetaJC=ThetaJT

ThetaJB=(Tj-Tb)/P,结到PCB的热阻。

ThetaJA参数综合了Die的大小, 封装方式,填充材料,封装材料,引脚设计,外部散热片和外部电路板的属性多个因素,综合来讲ThetaJA和用的器件以及PCB设计有关。ThetaJC和ThetaJB这2个参数是表征芯片和封装本身的,不会随着芯片封装外部环境的改变而改变。

热阻和以下几个参数比较紧密相关。

Power dissipation:功率损耗,指的是NMOS消耗功率不能超过150mW,否则可能损坏MOS管。

Junction temperature:结温,结面温度,指的是NMOS最高结温不能超过150℃。

MOS管

Thermal resistance:如下的833℃/W指的是NMOS结面相对于环境温度的热阻是833℃/W,假如器件消耗的功率是1W,那温升就是833℃。

MOS管

当NMOS工作在最大功率150mW,那NMOS结到空气的温度就是:150/1000*833≈125℃,芯片结温就是125+25=150℃。

再看一下MOS管的电容。

输入电容Ciss,指的是DS短接,用交流信号测得的GS之间的电容,Ciss由GS电容和GD电容并联而成,即Ciss=Cgs+Cgd,当输入电容充电至阈值电压,MOS管才打开,放电至一定的值,MOS管才关闭,所以Ciss和MOS管的开启关闭时间有很大的关系。

输出电容Coss,指的是GS短接,用交流信号测得的DS之间的电容,Coss由GD电容和DS电容并联而成,即Coss=Cgd+Cds

反向传输电容Crss,指的是S接地,GD之间的电容,即Crss=Cgd

MOS管关闭下,Cgs要比Cgd大得多,Cgd=1.7pF,那Cgs=7.1-1.7=5.4pF。

MOS管

从SPEC给的图看,3个电容的大小和DS电压有很大关系,尤其是Coss和Crss

MOS管

有的一些MOS管SPEC中还有如下的Qg、Qgs、Ggd,指的是充满这些电容所需要的电荷数,所需要的充电电荷数越少,MOS管开关速度就越快。

MOS管

MOS管关闭下,Cgs要比Cgd大的多,但是发现Qgd比Qgs大得多,这是受到米勒电容的影响。

MOS管

结合一下图片理解MOS管的开关时间。

MOS管

最左边绿色部分,ID和UD几乎不变,因为这时候UGS没有上升到阈值电压,MOS管是关闭状态,把UGS从0增大到阈值电压前这段时间叫Turn-on delay time。

紧接着紫色部分,当UGS上升到阈值电压后,随着UGS再继续增大,ID也逐渐增大,UD逐渐减小,直到ID到最大值,UD到最小值,这段时间叫Rise time。

同理,MOS管在关闭时,UGS没有下降到阈值电压,ID和UD都是不变的,把UGS下降到阈值电压前这段时间叫Turn-off delay time。

随着UGS逐渐减小,ID减小到最小值,UD增大到最大值,这段时间叫Fall time。

MOS管

那为什么要了解MOS管的电容和开关时间呢?当MOS管用在对开关速度有要求的电路中,可能会因为MOS管的开关时间过慢,导致通信失败。

 

审核编辑:何安

 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分