我国在金刚石芯片领域取得新进展

21 世纪初，以金刚石、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为主的第三代半导体材料进入大众的视野，其中金刚石更是凭借其特有的性质成为备受关注的芯片材料，甚至被业界评为“终极半导体材料”。

据IT之家1月11日报道，哈尔滨工业大学的韩杰才院士团队在通过与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作后，在金刚石芯片领域取得了新进展。

据报道，韩杰才院士带领的团队首次通过纳米力学新方法，从根本上改变金刚石复杂的能带结构，为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了全新的方法。

 

但目前该技术仍具备一定的局限性。据报道，金刚石芯片虽然比硅芯片更强、更耐抗，但在迄今为止的实验中，由于金刚石分子结构保持较强的独立性，无法对电流产生有效影响，所以在实际应用上还存在不少难题。

不过，当前中国团队全新科研成果的发布，正有力地推进这一难题的攻关。要知道，一旦金刚石芯片研发成功，也将有力推动芯片国产化，并有望攻克美国“卡脖子”难题。

作为具有巨大发展潜力的顶尖行业，半导体行业正获国家以及国内企业的大力倾注。当前，我国已宣布为芯片行业提供10年的免税保护期；同时，我国官方还定下了一个目标：到2025年，芯片自给率达到70%。在此背景下，据统计，当前我国入局半导体行业的企业数量已超过24万家。

原文标题：芯片国产化再传好消息！中国这一领域又获新突破，望打破美国垄断

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责任编辑：haq