400万+工程师在用

华为|鸿蒙开发者日

直播报名

400万+工程师在用

华为|鸿蒙开发者日

直播报名

韦尔半导体最新推出了三款5G射频开关器件

MEMS

288人已加入

描述

5G时代

过去十几年中,我国的通讯产业经历了从 2G 到 3G,再由 3G 到 4G 的更新迭代。2019 年,三大运营商公布 5G 商用套餐,正式标志着中国开始进入 5G 商用时代。5G 时代的到来,不仅大幅提升了通讯速率和效率,促进了数字经济的蓬勃发展及硬件设备的换代升级,也对信号传输提出了更高要求。

在无线通讯行业,射频芯片被称为模拟芯片领域“皇冠上的明珠”,在信号传输过程中扮演着十分重要的角色。其作为无线连接的核心,能够将射频信号和数字信号进行转化,因此凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片。具体而言,射频芯片包括低噪声放大器( LNA )、射频开关( RF Switch )、 功率放大器( PA )、滤波器( Filter )等多种器件。

伴随着通信产业的跨越式发展,射频器件作为无线通讯不可缺少的基础一环,市场需求量也在不断提升,据Yole的数据显示,2018 年全球移动终端射频前端市场规模为 150 亿美元,而预计到 2025 年有望达到 258 亿美元。面对快速增长的市场需求及我国 5G 技术的高速发展,实现射频芯片本土化替代的需求不断加快,这也为我国射频产业链企业的发展提供了良好的机遇。 

作为中国领先的模拟与分立半导体设计公司,豪威集团旗下韦尔半导体一直致力于高性能射频器件的研发,持续引领射频新技术发展,尤其在低噪放( LNA )、射频开关( RF Switch )、天线调谐器( Tuner )领域,已打造出成熟的产品布局。其射频产品依靠新设计、新工艺和新材料的结合,突破了传统的设计思路,为无线通信领域多元化的产品提供创新动力。

 

在射频器件中,射频开关( RF Switch )可用于实现射频信号接收与发射的切换及不同频段间的切换。随着 5G 商业化落地,不同频段信号接收、发射的需求量不断增大,对射频开关的要求也随之增加。韦尔半导体最新推出了 HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE 三款 5G 射频开关器件,具有低插入损耗,高端口隔离度的特性,可支持高频 6GHz 应用,即使远隔千山万水,也能保障良好的信号发射和接收效果。

HWS7804LMA

HWS7804LMA 采用 RF CMOS 绝缘体上硅( SOI )技术,是一颗大功率 MIPI 控制的单刀四掷开关,适用 0.1G-6GHZ 的宽带射频范围,并针对高性能 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G NR 应用进行了优化,具有低导通电阻、低关断电容和高功率承受能力的特性。该射频开关设置 RFFE2.1 控制接口,并采用 1.1mm×1.1mm 9 引脚进行封装,无需再外加隔直电容。凭借低功耗及小封装的优势,HWS7804LMA 可广泛应用于手机、蜂窝调制解调器和 USB 设备及多模 GSM、EDEG、WCDMA、LTE 和 5G NR 应用中。

a8104130-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

 

a836350c-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

 

a8a9d5b6-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

VWS7802LA

VWS7802LA 是一款高功率的单刀双掷开关,对 5G NR 高功率、高线性度进行了优化,可广泛应用于 5G 射频前端。

a8eb23cc-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

 

a9404b5e-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

VWS7822LE

VWS7822LE 则是一款具有优质线性度的双刀双掷转换开关,其优质的线性度和谐波性能非常适合多模 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE 手机应用。在产品设计方面,VWS7822LE 采用 1.5mmx1.1mm 10pin 的紧凑封装尺寸,可在 1.4V-4.2V 的供电电压范围内工作,适用于多元化平台和产品形态,帮助设计人员将其快速集成到多模多频段系统中,大大满足市场对射频开关复杂功能的需求。

a9c045c0-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

 

aa40d03c-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

 

aa8e6d56-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

除上述三款全新产品外, 韦尔半导体还拥有几乎全系列 LTE 分立接收开关。其中 WS7810QM (单刀十掷)和 WS7812QD (双刀 12 掷)均采用 MIPI 控制,可使射频前端达到最优布局,具有低插损、高隔离、高线性度等特点,支持到 3.8GHz 高频应用,并具有大量量产经验,封装可靠性得到有效保证。两款产品均为手机、蜂窝通讯模块、数据卡等应用场景设计。

此外,韦尔半导体还在 2019 年分别推出了 WS7854QA 及 WS7872DA 两款产品。

WS7854QA 是一款带 ESD 防护的单刀四掷开关,针对 3G/4G 射频路径和分集应用进行了优化,并具有高线性度、低插入损耗的优势,其工作频率可高达 3GHz,可满足 LTE TRx 的中功率需求,已被广泛应用于 WCDMA/LTE 手机和数据卡应用中,可为手机、平板电脑等移动设备提供更长的续航时间。在产品封装上, WS7854QA 则采用 1.1x1.1 mm² 紧凑型四方扁平无引线( QFN )封装结构,消除了侧向突出于封装之外的耗费空间大的外部引线,有效改善封装时连接可靠性。

WS7872DA 则属于单刀双掷( SPDT )开关。该产品工作频率可高达 6GHz , 并具有高线性度、较低的插入损耗、开关切换时间快等优势。WS7872DA 采用 1.0 x 1.0 mm² 紧凑型双扁平无引线( DFN )封装结构,且功耗极低,是 802.11 a/b/g/ 等 WLAN 应用的理想选择。

ab0a5f56-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

除射频开关产品外,韦尔半导体还拥有一系列低噪音放大器( LNA )产品。区别于控制信号通道转换作用的射频开关,低噪声放大器( LNA )则可将接收到的微弱射频信号放大,并尽量降低噪声的引入,以实现良好的信噪比。WS7932DE  是韦尔半导体研发的第 3 代 LTE LNA 产品,采用 COMS 工艺实现了 18dB 的高增益,有效提升了系统接收灵敏度,并凭借 0.8dB 的低噪声系数,大大提高了输出信噪比。同时, WS7932DE 采用了业界通用的 1.1mm X 0.7mm 小尺寸封装,与主流型号兼容,方便调试替换,既为产品设计节省了宝贵的内部空间,又利于加速产品上市速度。

ab40cc80-7721-11eb-8b86-12bb97331649.png

如今,人们已逐渐认识到“中国芯”替代在科技竞争中的重要作用,随着 5G 技术及通讯产业的跨越式发展,射频器件的重要性也愈发凸显。韦尔半导体凭借前瞻的技术研发、基于十余年技术积累和自主的技术架构工艺创新,已自行研发出可广泛覆盖手机和通讯模块市场、 WiFi 路由器市场和通讯基站市场的射频前端解决方案。面向 5G 时代,韦尔半导体也将持续专注于技术革新,推动“中国芯”从跟随到主导,从国产替代到齐头并进,携手行业共同发力 5G 在中国乃至全球的发展。

责任编辑:lq

 

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

电子发烧友网

收听电子行业动态,抢先知晓半导体行业

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

打开APP