128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点

富士通FRAM（铁电RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B。

描述

MB85RS128B是一款16，384字×8位配置的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。MB85RS128B能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。

MB85RS128B采用的存储单元可进行1012次读写操作，相比Flash存储器和E2PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS128B不需要像Flash存储器或E2PROM那样长时间写入数据，并且MB85RS128B不需要等待时间。

特点

•位配置：16，384字×8位

•SPI对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

•工作频率：除READ33MHz（Max）READ命令以外的所有命令25MHz（Max）

•高耐久性：1012次/字节

•数据保留：10年（+85℃）、95年（+55℃）、超过200年（+35℃）

•工作电源电压：2.7V至3.6V

•低功耗：工作电源电流6mA（Typ@33MHz）待机电流9μA（Typ）

•工作环境温度范围：−40℃至+85℃

•封装：8针塑料SOP（FPT-8P-M02）符合RoHS

引脚分配

串行外设接口（SPI）

富士通铁电存储器MB85RS128B作为SPI的从机工作。使用配备SPI端口的微控制器可以连接2个以上的设备。通过使用没有配备SPI端口的微控制器，SI和SO可以通过总线连接使用。

责任编辑：tzh