灵活的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管

　　功率电子技术正朝向更高的功率密度、高快的开关速度、更小的器件体积这个趋势发展，而传统的硅基器件已经接近了物理性能的天花板，很难有大幅提升的空间，因此基于氮化镓（GaN）等第三代宽禁带半导体材料的新型器件成为研发的重点，相关的应用开发活动也十分活跃。

　　EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管（eGaN FET）就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。

　　EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET，该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95mm，仅以钝化芯片形式提供，带有焊锡条。该器件的导通电阻仅有3.2mΩ，与前代eGaN FET相比降低了接近20%，显著减少了功耗并提高了额定直流功率。

　　与硅基MOSFET相比，EPC2218的栅极电荷（QG）更小，并且没有反向恢复电荷（QRR），因此可以实现更快的开关速度和更低的功耗。

　　EPC2218非常适合于48 VOUT同步整流、D类音频、信息娱乐系统、DC/DC转换器以及自动驾驶汽车、机器人和无人机的LiDAR的应用。

　　器件特性

　　更高的开关频率：更低的开关损耗和更低的驱动功率

　　效率更高、传导和开关损耗更低、反向恢复损耗为零

　　占板面积更小，功率更高

　　产品电气特性

　　DC/DC转换器

　　BLDC电机驱动器

　　AC/DC和DC/DC的同步整流

　　激光雷达/脉冲功率

　　负载点 （POL） 转换器

　　D类音频

　　LED照明

　　责任编辑：haq