1Mbit国产SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介绍

SRAM是具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM虽然速度较快，不需要刷新的动作，但是也有缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：

•优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

•缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

本篇文章主要介绍一款1Mbit存储国产SRAM芯片EMI501NL16VM-55I

伟凌创芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先进的全CMOS工艺技术制造，位宽64Kx 16位，电源电压为2.7V~3.6V，支持三态输出和TTL兼容和工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。还支持低数据保持电压，以实现低数据保持电流的电池备份操作。封装采用标准的44TSOP2。

异步低功耗SRAM通常具有较低的访问速度，Taa在55ns或70ns。这类SRAM将功耗，特别是待机电流（Isb1， Isb2）降到了最低，以满足移动设备的要求。典型的Icc可以达到1mA且Isb1/Isb2降到1uA的水平。这类存储器在消费电子、、POS、打印机、手机、汽车医疗设备等领域有着广泛的应用。

1Mbit存储国产SRAM芯片系列

Part Number	Density	Org.	VCC	Access Times	Temp.	Package
EMI501HB08PM45I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	45ns	-40~85℃	32SOP
EMI501HB08PM-55I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI501NL16VM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI501NL16LM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA

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