AEC-Q 认证测试方法

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  随着近年来车用市场蓬勃发展,中国本土车厂自有品牌销售量也逐年在增长,除制造质量逐步上升外,因应汽车零部件电子化程度大幅增加,在汽车上使用的电子零部件将持续被车厂列为重要关注对象。而其中,环保节能意识抬头,LED光源开始大量使用在汽车电子零部件上,车用LED成为近年来不断具有相当需求规模且仍持续快速成长的LED应用之一。

  自2013年开始已有部份国际标准制定组织,开始针对车用LED制定相关的验证标准,但因各组织有着不同的观点,因此LED车厂参考的标准则各不相同;2017年3月AEC(汽车电子委员会)正式发表AEC-Q102 REV标准,这为车用LED应用点了一盏明灯,让OEM, Tier 1供货商及LED组件供货商有了奉行的圭臬,而此标准整合过往的经验,更贴近企业的验证模式及考虑到未来LED使用的环境:包含实验样品数量,LED Tj(Junction Temperature)控制的方法,腐蚀气体测试的增加,每项都是针车用LED所可能遭遇的环境来设计,以保护行车时的安全性。正因如此,任何一颗元件失效都与行车安全息息相关,可靠性验证绝对是当今最重要的议题之一。

  金鉴实验室-失效分析实验室致力于LED上中下游产品质量方案的服务,可协助企业的产品找出实验过程中因设计的不良,而导致失效的原因,也可提供专业的LED故障分析从晶片,元件,模块到LED灯具,成品,等完整的分析服务,帮助快速的找到失效问题点,并提供解决方案;此外,亦可结合公司其他业务中心公司提供包含安全、性能、能效、认证等各个方面一站式解决方案。

  金鉴实验室是一家专注于第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片和器件失效分析的新业态的科研检测机构,具备国家认可及授权的CMA/CNAS资质,并是工信部认定的“国家中小企业公共服务示范平台”,广东省工信厅认定的“LED失效分析公共服务示范平台”广州市中级人民法院司法鉴定专业委托机构

  AEC-Q 认证测试方法

  (1)加速环境应力测试:偏高湿度、温度循环、功率温度循环、高温储存寿命

  (2)加速寿命模拟测试:高温工作寿命、早期失效率

  (3)可靠性测试:振动、冲击、恒加速应力、跌落、扭力、切应力、拉力、

  (4)电气特性确认测试:静电放电、电分配、电磁兼容

  (5)密封性测试:粗细漏检、内部水汽含量

  (6)筛选监控测试:部件平均测试、统计良率分析

  (7)破坏性物理分析:

  AEC-Q102认证测试项目如下:

测试项目 简称 测试条件
Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test TEST LED测试相关光电参数
Pre-conditioning PC SMD产品在高温高湿、TC、PTC试验前预处理,条件参数MSL等级
External Visual EV 产品外观检查(结构,标记,工艺)
Parametric Verification PV 测试产品不同温度下的光电参数
High Temperature Operating Life HTOL1 1、试验周期=1000H,(可参照附录Appendix 7a延长至4000H、10000H);
2、温度=TJmax;3、电流=参照规格书电流与Tj关系选择,使Tj=Tjmax;
High Temperature Operating Life HTOL2 1、试验周期=1000H,(可参照附录Appendix 7a延长至4000H、10000H);
2、温度=参照规格书电流与Tj关系选择,使Tj=Tjmax;3、电流=IFmax;
High Temperature Reverse Bias HTRB 不适用于LED
Wet High Temperature Operating Life WHTOL1 1、试验前预处理;
2、试验周期=1000H;3、温度/湿度=85/85%RH;4、电流=参照规格书电流与Tj关系选择,使Tj=Tjmax,30min on/30min off;
Wet High Temperature Operating Life WHTOL2 1、试验前预处理;
2、试验周期=1000H;3、温度/湿度=85/85%RH;4、电流=规格书最低电流,If no minimum rated drive current is specified, a drive current shall be chosen not to exceed a rise of 3 K for Tjunction;
Wet High Temperature Operating Life H3TRB 不适用于LED
Temperature Cycling TC 1、试验前预处理;
2、试验周期=1000cycles ,最低停留时间为15min;3、温度范围=低温选择规格书定义的最低使用温度,高温TC选择不低于最高使用温度,TC condition 1:max Ts=85TC condition 2:max Ts=100TC condition 3:max Ts=110TC condition 4:max Ts=1254、冷热冲击后DPA,并提供制造时金线拉力数据,试验报告标明冷热冲击条件及转换时间。
Power Temperature Cycling PTC 1、试验前预处理;
2、试验周期=1000H ,最低停留时间为未定义;3、电流=参照规格书电流与Tj关系选择,使Tj=Tjmax,5min on/5min off;4、温度范围=低温选择规格书定义的最低使用温度,高温TC选择不低于最高使用温度,TC condition 1:max Ts=85TC condition 2:max Ts=105TC condition 3:max Ts=1255、冷热冲击后DPA,试验报告标明冷热冲击条件及转换时间。
Intermittent Operational Life IOL 不适用与LED
Low Temperature Operating Life LTOL 不适用与LED
Electrostatic Discharge Human Body Model HBM 人体模式静电等级测试
Electrostatic Discharge Charged Device Model CDM 芯片放电模型(Note1说明不适合部分封装形式)
Destructive Physical Analysis DPA 从以下试验中随机抽取分析:
PTC/IOL, WHTOL/H³TRB, H2S, and FMG. (2 samples each)
Physical Dimension PD 测试产品尺寸规格
Terminal Strength TS 端子强度测试
Constant Acceleration CA 不适用于LED
Vibration Variable Frequency VVF 1、1.5mm等位移双振幅,频率范围20-100HZ;
2、200m/s²恒定加速度,振幅范围100Hz-2kHz;
Mechanical Shock MS 机械冲击:1500 g's for 0.5 ms, 5 次撞击, 3 个方向.
Hermeticity HER 不适用于LED
Resistance to Solder Heat RSH
(-reflow)
仅适用于回流焊焊接产品,3次回流焊,标准J-STD-020
Resistance to Solder Heat RSH
(-wave)
仅适用于波峰焊焊接产品
Solderability SD 参照表2A 测试方法B和D对SMD产品进行测试。试验后用50X显微镜观察。
Pulsed Operating Life PLT 1、试验周期=1000H;
2、温度=55摄氏度;3、电流=参照规格书最大脉冲电流,脉冲宽度100s,占空比3%;
Dew DEW 1、试验周期=1008H;
2、温度循环条件30-65,在65停留4-8h,转换时间在2-4h,RH=90-98%;3、电流=规格书最低电流,If no minimum rated drive current is specified, a drive current shall be chosen not to exceed a rise of 3 K for Tjunction;
Hydrogen Sulphide H2S Duration 336 h at 40 °C and 90% RH.
H2S concentration: 15 x 10-6测试后DPA
Flowing Mixed Gas FMG Duration 500 h at 25 °C and 75% RH.
H2S concentration: 10 x 10-9SO2 concentration: 200 x 10-9NO2 concentration: 200 x 10-9Cl2 concentration: 10 x 10-9测试后DPA
Thermal Resistance TR 热阻测试
Wire Bond Pull WBP 焊线拉力:Cpk>1.67
Wire Bond Shear WBS 焊球推力:Cpk>1.67
Die Shear DS 芯片拉力:Cpk>1.67
Whisker Growth WG Only for parts with Sn-based lead finishes.
Test to be done on a family basis (plating metallization, lead configuration).

 

万亿产业上的啄木鸟,为半导体高阶发展保驾护航


        ymf

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