MOSFET的电气特性（静态特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）
描述
栅极漏电流（IGSS）
当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流
IGSS测量
漏极截止电流（IDSS）
栅极漏电流（IGSS）
当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流
IGSS测量
漏极截止电流（IDSS）
审核编辑 ：李倩
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
[原创]MOSFET的特性参数及ST为例2010-08-10 0
-
功率Mosfet参数介绍2012-01-12 0
-
MOSFET特性2019-04-10 0
-
ROHM BR24T系列 EEPROM存储器2019-11-15 0
-
有哪些MOSFET 测试设备？2021-05-06 0
-
DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统2022-02-17 0
-
三星(samsung) BR-1320/BR1160M MP2009-12-15 326
-
orinda无线网桥BR5822/BR5822EO2011-11-16 1386
-
功率器件测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......2021-12-22 381
-
半导体分立器件静态参数测试系统 & DCT1401 天光测控2021-12-22 654
-
DS1814BR-10-U+ DS1814BR-10-U+ - (Maxim Integrated) - 专用 IC2022-11-16 27
-
半导体功率器件静态参数测试仪系统介绍2023-02-15 341
-
DCT1401晶体管静态参数测试仪系统2023-02-24 175
-
晶闸管的静态特性与伏安特性详解2024-05-24 852
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
