电荷耦合器件CCD的发展史和工作原理

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描述

电荷耦合器件(Charge-coupled Device,CCD)归属于集成电路,排列整齐许多电容,能感应光线,并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制,每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。CCD广泛应用在数字摄影、天文学,尤其是摄影测量学(photometry)、光学与频谱望远镜,和高速摄影技术如星云成像。

集成电路

   CCD技术发展史

CCD是于1969年由美国贝尔实验室的威拉德·博伊尔(Willard Sterling Boyle)和乔治·史密斯(George Elwood Smith)所发明的。当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式存储器。将这两种新技术结合起来后,博伊尔和史密斯得出一种设备,他们命名为“电荷‘气泡’组件”(Charge "Bubble" Devices)。

这种设备的特性就是它能沿着一片半导体的表面传递电荷,便尝试用来作为记忆设备,当时只能从寄存器用“注入”电荷的方式输入记忆。但随即发现光电效应能使此种组件表面产生电荷,而组成数字图像。

1971年,贝尔实验室的研究员已能用简单的线性设备捕捉影像,CCD就此诞生。有几家公司接续此发明,着手进行研究,包括飞兆半导体、美国无线电公司和德州仪器。其中飞兆半导体的产品率先上市,于1974年发表500单元的线性设备和100x100像素的平面设备。

2006年元月,博伊尔和史密斯获颁电机电子工程师学会颁发的Charles Stark Draper奖章,以表彰他们对CCD发展的贡献。2009年10月两人荣获诺贝尔物理奖(和高锟同一届拿到诺奖)。

CCD的工作原理

在栅电极(G)中,施加正电压会产生势阱(黄),并把电荷包(电子,蓝)收集于其中。只需按正确的顺序施加正电压,就可以传导电荷包。 在一个用于感光的CCD中,有一个光敏区域(硅的外延层),和一个由移位寄存器制成的传感区域(狭义上的CCD)。   图像通过透镜投影在一列电容上(光敏区域),导致每一个电容都积累一定的电荷,而电荷的数量则正比于该处的入射光强。用于线扫描相机的一维电容阵列,每次可以扫描一单层的电容;而用于摄像机和一般相机的二维电容阵列,则可以扫描投射在焦平面上的图像。一旦电容阵列曝光,一个控制回路将会使每个电容把自己的电荷传给相邻的下一个电容(传感区域)。而阵列中最后一个电容里的电荷,则将传给一个电荷放大器,并被转化为电压信号。通过重复这个过程,控制回路可以把整个阵列中的电荷转化为一系列的电压信号。在数字电路中,会将这些信号采样、数字化,通常会存储起来;而在模拟电路中,会将它们处理成一个连续的模拟信号(例如把电荷放大器的输出信号输给一个低通滤波器)。   

审核编辑:郭婷

 

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