智能交通系统 (ITS)、乘客信息系统 (PIS) 和其他车载应用(如视频监控和数据记录)有时会产生不稳定的电压供应。嵌入式 SSD 可能会受到这些不稳定输入电压的负面影响。
那么,输入电压究竟如何影响SSD的NAND闪存呢?
在这里,原始误码率(RBER)很重要。RBER是纠错码(ECC)之前的误码率,它反映了NAND闪存的初始可靠性。RBER 越高,NAND 闪存的可靠性越低。
为了说明这一点,下面给出了五个示例,每个示例都有0.3V的电压波动。
图1.我们的控制图显示了NAND闪存的3.3V至3.6V电源,在0.3V偏移范围内波动。
Figure 2. When set to the standards NAND flash voltage range of 2.7V to 3.0V, the RBER is 10^(-5.850, which is in the normal range.
图3.当接收3.6V至3.9V输入时,REBER增加到10^-5.845。
图4.当电压增加到3.9V至4.2V时,RBER增加到10^(-5.832)。
图5.当将电源电压设置为 4.2V 至 4.5V 时,RBER 继续增加至 10^ (-5.823)。
如前所述,一般来说,输入电压越高,RBER 越高,对 SSD性能的影响越大。
Renice 的 SSD 解决方案采用针对每个 SSD 的可接受电压范围量身定制的专用电路进行设计,可确保在极端或恶劣环境中的性能和可靠性。
审核编辑:郭婷
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