使用MAX38643降低CISPR32兼容毫微功耗降压转换器的辐射EMI

描述

本应用笔记解释了如何降低MAX38643毫微功耗降压转换器的EMI辐射。本文还解释了EMI噪声的来源,并提供了几种降低辐射EMI的简单方法,使MAX38643降压转换器符合CISPR32标准的B类限值。

介绍

高频开关电源在运行过程中会产生电磁干扰(EMI),从而中断周围的设备。这些EMI干扰本质上可以是传导的,也可以是辐射的。EMC在电子设备中的重要性与日俱增。因此,越来越多的标准正在出现,以限制电子设备产生的辐射干扰。

MAX38640–MAX38643是超低静态电流DC-DC降压转换器的毫微功耗系列,芯片内集成MOSFET和控制电路。该降压转换器系列工作在1.8V至5.5V输入电压。该器件支持高达 175mA、350mA 和 700mA 的负载电流,在 10μA 负载电流下具有 96% 的峰值效率和超过 88% 的效率。

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应用电路

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图2.MAX38640的应用电路

关于CISPR32标准

CISPR32是额定有效值交流电压或直流电源电压不超过600V的多媒体设备的EMI发射标准。用于住宅/家庭环境的产品必须符合B类限制。商业用途的产品必须符合A类限制。

以下是根据CISPR32标准进行3米和10米测试的辐射发射限值。

表 1:CISPR32 辐射发射标准 QPK 限值
 

 

频率范围(兆赫) 3m 距离限制 10m距离限制
A 类 (dBμV/m) B 类 (dBμV/m) A 类 (dBμV/m) B 类 (dBμV/m)
30 到 230 50.5 40.5 40 30
230 到 1000 57.5 47.5 47 37

 

图3显示了实验室的辐射发射测试设置。EUT放置在360°可旋转的测试台上,该测试台距离接收器天线10米。接收天线拾取被测设备(MAX38643)在不同高度(1米至4米)产生的EMI噪声信号。它在频谱分析仪/EMI接收器中生成30MHz至1GHz频率的EMI峰值图。

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图3.辐射发射测量测试设置。

测量和布局设计,以优化EMI发射

这里使用MAX38643AELT+降压转换器。它具有 1A 的峰值电感器电流限值,并可在 μDFN 封装中支持 700mA 的负载电流。图4是MAX38643的原理图。

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图4.MAX38643降压转换器原理图

本研究的用例如下

输入:锂离子电池,电压范围为3.0V至4.2V 输出电压:1.8V

负载:660mA输出电流

开关Q1和Q2在MAX38643降压转换器中交替工作。当 Q2 关闭时,开关 Q1 打开,反之亦然。电流从 C 流出在通过电感L到负载,电感在Q1导通时存储能量。在此期间,开关 Q2 处于关闭状态。图 5 以红色显示此操作期间的当前路径。电感器通过负载和 C 放电外当 Q2 打开且 Q1 关闭时。 图 5 以绿色显示当前路径。输出电压是Q2两端出现的开关电压的平均值。

Q1和Q2的高频开关产生高di/dt的脉动电流,并产生高EMI噪声。该电流路径对于控制辐射EMI发射至关重要。因此,最小化EMI发射的正常方法是减小这些开关路径的面积。

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图5.基于Q1和Q2开关的降压转换器的电流路径。

本应用笔记考虑了两种不同的电路板布局。

板-1 电路板布局

图6和图7所示为MAX38643的板-1 PCB布局和EMI发射峰值图。

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图6.MAX38643板-1评估板的PCB布局

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图7.MAX38643板-1评估板布局的辐射发射峰值图

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图8.MAX38643板-1评估板布局的开关Q1两端电压

板-1布局以2.2dBμV/m的裕量通过了CISPR32 B类限制,非常小。图7中的EMI图有一个178.5MHz的峰值,对应于图8中寄生元件的振铃频率。另一个峰值约为330MHz,对应于Q1和Q2两端电压的上升时间。

寄生电感如图所示,并在Q1两端产生电压振铃(图8)。它会产生EMI噪声,如果C在电容与Q1相差甚远(图6)。放置 C 非常重要在电容器尽可能接近Q1。

板-2 电路板布局

该 C在可以更靠近IC(图6),以降低C之间的寄生电感在和IC MAX38643。该 C在在板-2布局中放置在靠近IC MAX38643约1mm的位置,以降低EMI发射。图9和图10显示了电路板2 PCB布局和辐射EMI发射峰值图。

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图9.MAX38643板-2评估板布局的PCB布局

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图 10.MAX38643板-2评估板布局的辐射发射峰值图

通过放置C来降低辐射EMI发射在靠近 IC MAX38643(图 10)。EMI发射从300MHz频率降低约4dBμV/m至5dBμV/m。板-2 布局降低了 EMI 辐射。通过在 Q1 或 Q2 中添加 RC 缓冲器,可以进行进一步的改进。

RC缓冲电路的优点

MAX3864x毫微功耗降压转换器系列在芯片内集成MOSFET Q1和Q2。EMI噪声是由电路中的高dv/dt、di/dt产生的,这反过来又会导致高频开关期间Q1和Q2两端的电压振铃。图5的分析显示,寄生电感更多来自C在由于PCB上的走线,到Q1漏极,从Q1源极端子到Q2漏极较少,因为Q1和Q2都在芯片内。因此,Q1两端的振铃电压大于Q2。图11a和11b是电路板2 PCB布局中Q1和Q2的电压波形。

 

 

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图 11a.Q1两端的电压。
 

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图 11b:Q2 两端的电压。

 

在Q1两端施加RC缓冲器,以降低辐射EMI噪声,因为Q1上的振铃很高(图12)。

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图 12.在开关Q1两端具有RC缓冲器的降压转换器。

RC缓冲器的计算

让我们计算电路中导致辐射EMI发射的寄生电感和电容。图13中的波形显示了电路板2 PCB布局中关断条件下Q1两端的电压。

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图 13.MAX38643板-2评估板布局的开关Q1两端电压

Q1 两端的振铃电压频率为 185.1MHz,这是寄生电感和电容的结果(图 13)。寄生电容的计算方法是增加Q1两端的电容,直到振铃频率降低到值的一半。对于相同的电感值,谐振频率与电容的平方根成反比。

通过在Q1上增加820pF的电容,振铃频率从185.1MHz降低到94.3MHz。图14显示了Q1两端的电压波形。

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图 14.开关 Q1 两端的电压为 820pF。

寄生电容现在可以通过以下公式1计算

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(公式1)

其中,
F㩱= 185.1兆赫,
F㩱_820pF = 94.3 MHz
封装 = 820pF

寄生电感的计算公式为:

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(公式2)

缓冲电阻现在的计算公式为:

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(公式3)

其中,Q=0.4。
选定的 R锡值为,R锡=4.7?

图15显示了4.7?、820pF缓冲器值连接Q1时波形。振铃电压降至4.68V峰值。V的上升时间第一季度从 3nS 增加到 3.2nS。

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图 15.开关 Q1 两端的电压为 4.7?,820pF。

优化RC缓冲器以提高效率

已经演示了 RC 缓冲器的计算和 Q1 两端振铃电压的阻尼。但是RC缓冲器会增加转换器中的功率损耗,而电路中增加的功率损耗浪费在RC缓冲器本身中。通过牢记效率来设置RC缓冲器非常重要。已经尝试了多个缓冲值,以查看对Q1两端开关节点的效率和振铃电压的影响。表2、表3和表4显示了没有缓冲器的电路板2布局以及Q1中使用不同RC缓冲器的效率结果。图16所示为降压转换器的原理图,在Q1两端增加了缓冲器。

效率结果

表2:电路板-2评估板上MAX38643的效率数据
 

 

MAX38643 - 板-2评估板
V在(五) 我在(毫安) Vo(五) 我o(毫安) 效率 (%) V注册 (%)
4.0 5.29 1.82 10.19 87.6 1.11
4.0 51.44 1.80 100.83 88.2 -0.04
4.0 251.22 1.79 504.23 89.6 -0.72

 

表3:MAX38643在Q1两端具有(4.7?+ 820pF)RC缓冲器的效率数据。
 

 

MAX38643 - 电路板-2评估板,Q1沿Q1具有RC缓冲器(4.7?+ 820pF)
V在(五) 我在(毫安) Vo(五) 我o(毫安) 效率 (%) V注册 (%) 差异效率 (%)
4.0 5.33 1.82 10.02 85.5 1.12 2.1
4.0 52.67 1.80 100.72 86.1 -0.03 2.1
4.0 258.99 1.79 508.21 87.5 -0.77 2.1
4.0 365.00 1.78 707.45 86.3 -1.13 1.7

 

表4:MAX38643在Q1上具有(4.7?+ 47pF)RC缓冲器的效率数据。
 

 

MAX38643 - 板-2评估板,Q1两端具有RC缓冲器(4.7?+47pF)
V在(五) 我在(毫安) Vo(五) 我o(毫安) 效率 (%) V注册 (%) 差异效率 (%)
4.0 5.27 1.82 10.14 87.5 1.11 0.1
4.0 51.27 1.80 100.34 88.0 -0.04 0.1
4.0 252.21 1.79 505.34 89.5 -0.74 0.1
4.0 355.67 1.78 701.87 87.8 -1.09 0.2

 

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图 16.MAX38643降压转换器,开关Q1两端带有RC缓冲器(R2、C4)。

RC缓冲器对EMI发射的影响

已经证明了不同RC缓冲器对Q1两端效率和振铃电压的影响。4.7的缓冲值?选择47pF是为了在转换器中产生更少的损耗并实现高效率,并将噪声水平保持在远低于B类限值的水平。图17和图18显示了Q1电压波形和4.7?和 47pF 缓冲整个 Q1。

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图 17.开关 Q1 两端的电压为 4.7?/47pF。

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图 18.MAX38643板-2评估板布局的辐射EMI峰值图,Q1两端有4.7?/47pF缓冲器。

所选缓冲值与CISPR32标准相比实现了超过6dBμV/m的裕量(图18)。

MAX38643AELT+降压转换器的辐射EMI结果

图19a和19b显示了MAX38643降压转换器在电路板1和电路板2上的EMI辐射结果,Q1上有一个RC缓冲器。测试是在第三方认证的 10 米 EMI 室中进行的。测试结果表明,板-1以2.2dB裕量通过了CISPR32 B类限制。带有RC缓冲器的板-2以超过6dB的裕量通过了CISPR32 B类限制,而不会影响效率。

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图 19a.MAX38643板-1评估板布局的辐射EMI结果

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图 19b.MAX38643板-2评估板在Q1两端具有4.7?/47pF缓冲器的辐射EMI结果。

结论

本应用笔记首先测量MAX38643评估板在10米室内的辐射EMI发射。测试结果通过CISPR32 B类限制,余量非常小。EMI辐射随着PCB布局的改进而改善。适当的RC缓冲器可降低噪声,有助于以超过6dB的裕量通过CISPR32 B类限制,而不会影响MAX38643降压转换器的效率。

审核编辑:郭婷

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