2021 ~ 2027年IGBT全球市场规模CAGR将达7%

绝缘闸双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源与碳中和发展趋势，2021~2027年市场规模将以复合年均成长率(CAGR) 7%成长至93.8亿美元。商业模式方面，由于IGBT产业各环节附加价值不同于其他IC，主要集中在制造端与封测端，推动IDM模式成为IGBT业者做大、做强的主流经营方式，2021年全球前三大业者皆为IDM业者，且合计市占率超过50%。

IGBT主要使用场景为高电压、大电流、高功率，相较于芯片性能表现，业者更重视需时间验证的产品稳定性与可靠性，因此仰赖工程师团队长期经验积累，从芯片设计、制造，再到模块封装皆需在客户反馈的基础上进行长时间调整。在产品生命周期普遍要求5~15年的条件下，IGBT客户验证周期长且转换成本高，导致客户在选择IGBT供应商时较为保守，往往跟随所在产业的龙头业者决定IGBT供应商。

IGBT在庞大商机的牵动下，部分业者扩产规划不再以6吋与8吋产线为重，而是逐渐转移至更具成本效益的12吋。DIGITIMES Research预估，2022年全球IGBT仅6.4%于12吋产线生产，2027年该比重将达18.2%，然在产线迁移的过程中，晶圆薄化后的加工环节将导致晶圆翘曲与破片问题更为显著。

编辑：黄飞