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如何化解第三代半导体的应用痛点
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2023-02-27
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在集成电路和分立器件领域，硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料，但硅材料技术的成熟恰恰意味着难以 突破瓶颈。为了打破固有屏障，半导体产业进一步深入对新材料、新工艺、新架构的探索。凭借着在功率、射频应用中的显著 性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。 所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化 硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中又以碳化硅和氮化镓材料技术的发展最为成 熟。与第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料通常具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率，电子 饱和速率和抗辐射能力也更胜一筹，在高温、高压、高频、高功率等严苛环境下，依然能够保证性能稳定。
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