Hiwave和伍超声扫描显微镜的扫描方式

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水浸超声扫描显微镜自研发成功以来在工业和军事应用中使用的高端半导体电子产品的制造商长期一直依赖精确的测试方法来识别缺陷的位置,例如微电子设备中的空隙、裂缝和不同层的分层,也称为一个微芯片。制造商还采用扫描声学显微镜 (SAM),这是一种非侵入性和非破坏性的超声波检测方法,已成为在各种芯片生产步骤和封装后的最终质量检测中检测和分析缺陷的行业标准。

芯片

Hiwave和伍超声扫描显微镜的扫描方式

关于超声扫描显微镜的扫描模式的不同常用的扫描模式主要有这些:按照检测结果分为A扫描、B扫描、C扫描,三种不同的检测模式,各有不同的优势,选择合适的检测模式,可以达到事半功倍的效果。

一点扫描:用波形图来反应缺陷的大致位置,优点:最客观的缺陷判基准。缺点:缺陷展示不直观,无法有效计算缺陷面积厚度等参数。需要有波形判断经验的专业人员分析判断,人为误判的影响较大。常见于低频无损探伤领域,便携式无损探伤仪器常用方法,专业无损探伤人员需要考取无损探伤证书。

A扫描是波形显示,在示波器屏幕上横坐标代表时间,纵坐标代表反射波的强度,根据反射波的强度大致估计缺陷的严重程度,根据反射波在横轴的位置人工计算出缺陷的位置。操作人员需要根据示波器上的波形,将缺陷的大致范围标记在工件上。

B扫描显示

B扫描显示的是纵向截面扫描图像,B扫描的结果相对比较直观,采用数字像技术,B扫描是将反射波信号的相对位置显示在一张图上。在B扫描的图像上,我们可以看到样品不同位置的反射波信号。和金相图像基本对应。 优点是利于计算物件的纵深,及厚度。

C扫描显示

C扫描显示的是横向截面的情况。首先C扫描采用图像处理技术,不同于A,B扫描模式时候的数字处理计算,可以方便直观的找出缺陷情况,看出缺陷趋势,甚至计算出缺陷的面积,更全面精准的反映出工件质量情况。

芯片


C扫描显示

审核编辑 黄宇

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