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硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:121 KB | 2011-06-24

anhuisafe

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采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的<002>择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6l.
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