浅谈封装测试工艺及封装形式发展

制造/封装

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描述

粘划片方式有向下、向上两种模式,对芯片表面及背面的崩齿(缺损)有影响。

高度:芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。

单晶体

封装形式的发展

单晶体

SGNEC现有封装形式

单晶体

SGNEC组立发展过程

单晶体

组立流程

单晶体

划片工艺

单晶体

从设备上区分有:金刚石划片和激光划片两种。由于激光划片设备昂贵,金刚石划片是目前较为流行的。

半切作业流程

单晶体

全切作业流程

单晶体

划片刀

单晶体

划片外观检查

划伤:划伤是由于芯片表面接触到异物:如镊子,造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路,而引起的不良。

缺损:缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击,造成边缘缺损,有可能破坏AL布线或活性区,引起不良。

崩齿:由于大圆片为Si单晶体,在划片时就不可避免的形成崩齿,崩齿的大小与划片刀的种类有关,崩齿过大造成缺损。

粘污:粘污就是异物附在芯片表面,如:Si屑,会造成内部的短路等。

扩散:在扩散工序产生的不良,如:图形不完整等不良,也要在PMM工序予以去除。

划片参数

型号:崩齿、划伤、裂纹本身的寿命。

转速:缺损、崩齿。

速度:划片轨迹、崩齿、缺损。

方式:粘划片方式有向下、向上两种模式,对芯片表面及背面的崩齿(缺损)有影响。

高度:芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。

粘片工艺

单晶体

封共晶合金法示意图

单晶体

银浆粘片示意图

单晶体

胶带粘片示意图

单晶体

芯片的提取

单晶体

单晶体

粘片的工艺控制

①粘片的位置:使键合识别稳定。

②银浆饱和度:保证粘片的强度。

③粘片机械度:芯片的固着强度。

④芯片外基准:粘污,划伤,缺损。

⑤芯片的方向:在芯片胶带的接着强度。

键合工艺原理

单晶体

键合工艺的控制

金球压着径

金球压着厚度

金线高度

金线拉断强度

金球剥离强度

键合主要不良项目

单晶体

包装入库

包装的主要目的:保证运输过程中的产品安全,及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。

编辑:黄飞

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