安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件

全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块，具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on)，采用行业标准封装。

智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiCMOSFET和模块，以适配越来越多的800 V电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。

该产品组合还包括采用半桥功率集成模块（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有领先业界的超低Rds（on），采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度，采用优化的直接键合铜设计，实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度，适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源（UPS）。

安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说：“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”

车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发，具有领先同类产品的开关损耗品质因数。

编辑：黄飞