MCU内部DataFlash的特点原理揭秘

本文讲解MCU内部DataFlash的特点原理，以及其模拟EEPROM使用的方法和算法，如果方便，推荐观看下面的视频。 现在市面上的MCU，一般都会带一个DataFlash空间，用于存储用户数据（区别于CodeFlash）。

DataFlash有两个基础概念，Sector和Page：

 

其中Sector是最小擦除单位，而Page是最小写单位。

至于这个Sector和Page到底是多大，不同厂家的MCU定义不同

MCU Family	Physical Sector Size	Page Size
S12XE	256 Byte - 1024 Byte	2 - 8 Byte
TC2xx	1 kB - 8kB	8 Byte
MPC56xx	16kB - 128kB	4 - 16 Byte
Tricore 17xx	64kB- 128kB	128 - 256 Byte
RH850	64 Byte	4 Byte

其他DataFlash的擦写行为是这样的

那么，怎么知道一块区间到底写过数据没有呢？

我见过两种情况：

1. 直接读取数据，判断为FF就认为擦除过了

2. 有些芯片在读取擦除区间的数据是不可靠的，要特殊途径判断

软件上为了统一，AUTOSAR定义了一个BlankCheck的函数

Service name	Fls_BlankCheck
Syntax	Std_ReturnType Fls_BlankCheck( Fls_AddressType TargetAddress, Fls_LengthType  Length)
Description	The function Fls_BlankCheck  shall verify, whether a given memory area has been erased but  not (yet) programmed. The function shall limit the maximum number of  checked flash  cells per main function cycle to the configured value  FlsMaxReadNormalMode or FlsMaxReadFastMode respectively.

好奇的你，也许会问，一个擦除单位那么大，使用很不方便，效率也不高，有没有办法让DataFlash像EEPROM那样使用？

这个就是磨损均衡算法了。可以参考《AUTOSAR中的Fee》

Fee好像很厉害的样子，能否想个办法研究下它的行为。

当然，可以用PC的File操作方式模拟Fls的API接口，然后再怎么折腾都行。

编辑：黄飞