安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计，导通电阻低至5.9mΩ​

在激光电源产品上主要以ACDC为主，功率拓扑为PFC+LLC。由于目前全球疫情、自然灾害等因素，导致进口器件在供货方面有很大影响，交期拉长，影响产品出货，很多厂家为了避免供货风险，逐渐倾向于找国产品牌替代以缓解交期和成本上的压力。

本文重点介绍国产安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计，采用PFC+LLC的方案，如下图所示。采用安森德4颗分立的MOS ASDM100R066NQ组成全桥LLC拓扑，PDFN5*6-8小体积封装有利于PCB灵活布线，导通电阻低至5.9mΩ，可减少导通损耗，提高转换效率。

 

激光电源的主功率框图

 

针对激光电源上的LLC主功率部分功率MOS管的选型需要注意以下几点：

1、目前电压为70V，MOS的耐压需要留1.5倍以上的耐压余量，防止极限工况下，电压应力超标；

2、由于电源的体积以及高温环境限制，因此MOS管要选择更低的导通电阻值，更小的封装，可有效降导通损耗减小发热量；

3、ID连续漏极电流需要有一定的余量，来有效抵抗过流、短路工况下，电流应力超标；

4、由于设计的电源尺寸比较小，需要选择较小封装贴片的MOS管，如5*6或者8*8等。

 

ASDM100R066NQ封装尺寸

 

国产安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光电源设计，具有几下几点优势：

1、最高耐压为100V，满足母线电压系统，耐压余量大，防止MOS管在短路等极限工况下，产生的电压尖峰而损坏；

2、在VGS=10V，ID=68A测试条件下，导通电阻最大为2.9mΩ，可降低MOS的整体损耗，减少发热量，提高转换效率；

3、在VDD=50V，ID=13.5A，VGS=10V测试条件下，栅极电荷仅45nc，具有更好的开关特性；

4、ID为68A，108W的耗散功率具有较高的电流余量；140A的峰值浪涌电流，可有效抵抗输出短路、过流等工况；

5、采用PDFN5*6-8封装，通用封装可替换市面大部分厂商器件，封装小可灵活的进行PCB布局，电源小型化设计；

6、成熟批量出货器件，供货交期、价格均有很好的保障。