集成电路封装失效分析流程

为了防止在失效分析过程中丟失封装失效证据或因不当顺序引人新的人为的失效机理，封装失效分析应按一定的流程进行。集成电路封装失效分析典型流程如图所示。

（1） 收集失效现场数据：在失效样品收集和保存的同时，收集失效现场数据，主要内容包括失效集成电路封装经受的失效环境、失效应力、失效发生期，以及失效前、后的电测试数据/结果等。其中，失效环境包括温度、湿度、照射等；失效应力包括温度应力、机械应力、气候应力、电应力和辐射应力等（如果是在可靠性试验中失效，必须了解封装经受的试验项目、应力等级和时间等)；失效发生期包括失效封裝的经历、失效发生的阶段（包括研制、生产、测试，试验、贮存、使用等）和具体时同：失效前、后的电测试条件、电测试数据和测试结果也是需要收集的数据的一部分。

(2）监别封装失效模式：根据收集到的失效现场数据、功能等测试数据，以及简单的外观检查，分析确定失效部位（如芯片表面/底面或界面、引出端密封腔内等)，结合失效分析积累的经验和失效模型库中的资料，鉴别集成电路封装失效样品的表面现象或表现形式属于哪种物理或/和化学失效模式

（3）描述封装失效特征：在失效分析中，通过定性或定量的物理参数、化学参数等对集成电路失效模式进行描述，这些描述可以是文字、照片或图片、测试数据及其图表、摄像、制备样品等中的一种或多种。

（4）确定封装失效机理：根据失效模式和失效特征参数，假设封装失效机理，并从正面和反面来证实失效机理，重复失效现象：对于不能复现的封装失效机理，必须重新假设，并再次进行试验证实。

（5）封装失效纠正措施：根据确定的封装失效机理，针对产生封装失效的原因采取指施，从根本上消除失效产生的根源。纠正措施的效果需要跟踪验证，并据此对集成电路封装相关文件进行相应的更改。




审核编辑：刘清