CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议

电源/新能源

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为建立 GaN 生态系统造福全球工程师迈出重要一步

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 宣布与高品质服务领航者 DigiKey 签订分销协议。根据全球协议条款,CGD 将提供易用、坚固且高效的 ICeGaN™ HEMT 及相关产品,工程师可通过 DigiKey 订购相应产品。

Andrea Bricconi | CGD 首席商务官

“我们正在扩大业务规模,建立 GaN 生态系统,帮助工程师探索和利用 ICeGaN 在高压电源转换方面的优势,而此协议是 CGD 在这条道路上迈出的重要一步。DigiKey 知名度高,值得信赖,我们相信这项交易将助力 CGD 进军并支持全球新市场。” 

Missy Hall | Digikey 新市场开发副总裁

“我们非常高兴 Cambridge GaN Devices (CGD) 加入我们的 Fulfilled by DigiKey 计划。在将 CGD 的 ICeGaN 系列晶体管纳入我们的产品组合后,DigiKey 可为我们的客户提供更多的节能型选择。DigiKey 始终致力于为我们的客户群提供全面的服务,CGD 加入我们的供应商社区是我们填补服务空缺、实现伟大创新的重要一步。”

 
最近,CGD 推出了其 650 V H2 系列 ICeGaN 氮化镓 HEMT 产品。新器件可采用商用工业栅极驱动器驱动,降低了设计复杂性。在效率方面,与硅器件相比,ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍,QOSS 低 5 倍。这大大降低了开关损耗,实现了业内领先的效率数值,并有助于缩小系统尺寸、减轻重量和降低成本。此外,H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智能栅极接口,几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点,从而解决了可靠性和耐用性问题。这些器件过压稳健性提高,可提供更高的噪声抗扰阈值,实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。
 
结语
 
关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化,以实现能效紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案,将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产,并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业,孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑,这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现,为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。

关于 DigiKey
DigiKey 总部位于美国明尼苏达州锡夫里弗福尔斯市,是全球电子元件和自动化产品前沿商业分销领域的公认领航者和持续创新者。我们致力于提供技术支持,库存中拥有超过 2,400 家高质量品牌制造商生产的总计超过 1490 万个电子元件,所持库存产品的广度和深度均处于行业领先水平,并且可立即发货。DigiKey 还提供大量数字化解决方案、流畅的交互和工具来为工程师、设计师、开发师和采购专业人员提供有力支持,帮助其提高工作效率。如需获取更多信息,请访问 digikey.com。
 

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